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龙图腾网恭喜合肥硅臻芯片技术有限公司申请的专利一种时间相位量子密钥分发系统及其发射端结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114978348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210060763.X，技术领域涉及：H04B10/70；该发明授权一种时间相位量子密钥分发系统及其发射端结构是由丁禹阳;刘午设计研发完成，并于2022-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种时间相位量子密钥分发系统及其发射端结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种时间相位量子密钥分发系统及其发射端结构，发射端结构包括：直调激光器模块，用于输出连续光脉冲；至少一个电吸收调制器模块，用于对所述直调激光器模块输出的光脉冲的光强进行调制；光衰减器，用于对所述电吸收调制器模块输出的光脉冲的光强进行衰减处理；其中，所述直调激光器模块和至少一个所述电吸收调制器模块集成设置在同一芯片上。也就是说在本申请中将原本基于各个独立光器件的量子密钥分发系统集成设置在一个体积较小的芯片中，进而大大降低量子密钥分发系统的成本，且极大程度的降低量子密钥分发系统的体积。

本发明授权一种时间相位量子密钥分发系统及其发射端结构在权利要求书中公布了：1.一种时间相位量子密钥分发系统的发射端结构，其特征在于，所述发射端结构包括：直调激光器模块，用于输出连续光脉冲；至少一个电吸收调制器模块，用于对所述直调激光器模块输出的光脉冲的光强进行调制；光衰减器，用于对所述电吸收调制器模块输出的光脉冲的光强进行衰减处理；其中，所述直调激光器模块和至少一个所述电吸收调制器模块集成设置在同一芯片上；所述芯片为InP基芯片，所述芯片包括：基底；设置在所述基底一侧的N型掺杂层；设置在所述N型掺杂层背离所述基底一侧的多量子阱层；设置在所述多量子阱层背离所述基底一侧的P型掺杂层；设置在所述P型掺杂层背离所述基底一侧的多个独立的金属电极，相邻两个金属电极之间的P型掺杂层上设置有隔离凹槽；所述电吸收调制器模块的数量为两个；第一个所述电吸收调制器模块用于对所述直调激光器模块输出的光脉冲的光强进行第一次调制；第二个所述电吸收调制器模块用于对第一个所述电吸收调制器模块输出的光脉冲的光强进行第二次调制；所述时间相位量子密钥分发系统的发射端结构运行三态时间相位协议，并进行双强度诱骗态调制，或运行三态时间相位协议，并进行三强度诱骗态调制；具体的：第一个所述电吸收调制器模块运行所述三态时间相位协议，通过变化调制电压对入射的光脉冲进行随机调制，从而随机产生Z基中的态|0＞和态|1＞，以及X基中的态第二个所述电吸收调制器模块进行所述双强度诱骗态调制，通过随机选择两种不同大小的调制电压，对入射的量子态分别进行强度调制，以一定比例pi随机将输出量子光强进行调制，i＝1,2，将某一个状态的输出光强调制到μ1以及μ2中的任意一个光强度输出；或者，第二个所述电吸收调制器模块进行所述三强度诱骗态调制，通过随机选择三种不同大小的调制电压，对入射的量子态分别进行强度调制，以一定比例pi随机将输出量子光强进行调制，i＝1,2,3，将某一个状态的输出光强调制成μ1、μ2以及μ3中的任意一个光强度输出，其中μ3＝0。

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