恭喜三星电子株式会社李润烈获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器器件及其初始化信息读取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110379450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811586144.4，技术领域涉及：G11C16/06；该发明授权非易失性存储器器件及其初始化信息读取方法是由李润烈;韩煜基设计研发完成，并于2018-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器器件及其初始化信息读取方法在说明书摘要公布了：公开了一种从非易失性存储器器件读取初始化信息的方法。在该方法中，当检测到加电时，非易失性存储器器件对源电压进行分压，以产生要在初始化信息读取操作中向未选字线提供的低读取通过电压。低读取通过电压被设置为在接地电压和源电压之间的至少一个电压。非易失性存储器器件允许基于加电在初始化信息读取操作中不对源电压进行泵浦。在初始化信息读取操作中，非易失性存储器器件向未选字线提供低读取通过电压，并且向选定字线提供读取电压，以读取存储器单元中存储的初始化信息。
本发明授权非易失性存储器器件及其初始化信息读取方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器器件，包括：存储器单元阵列，被配置为将针对所述非易失性存储器器件的初始化信息存储在连接到多个字线的存储器单元中；控制电路，被配置为在读取所述初始化信息的初始化信息读取操作中，控制向选定字线施加第一读取电压，并且控制向未选字线施加第二读取电压；以及电压产生器，被配置为响应于在所述初始化信息读取操作中从所述控制电路提供的电压控制信号，降低源电压以产生所述第二读取电压，其中，在非初始化信息读取操作中，所述第二读取电压大于所述源电压，在所述初始化信息读取操作中，所述第二读取电压小于或等于所述源电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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