英飞凌科技股份有限公司R.西米尼克获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利碳化硅半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110459590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910375055.3，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权碳化硅半导体器件是由R.西米尼克;T.艾兴格;T.巴斯勒;W.贝格纳;R.埃尔佩尔特;R.埃斯特韦;M.黑尔;D.屈克;C.莱恩德茨;D.彼得斯;H-J.舒尔策设计研发完成，并于2019-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅半导体器件在说明书摘要公布了：本申请涉及碳化硅半导体器件。半导体器件（500）具有从第一表面（101）出发延伸到SiC半导体本体（100）中的栅极结构（150）。在所述SiC半导体本体（100）中的体区（120）至少与所述栅极结构（150）的第一侧壁（151）邻接。导电类型为所述体区（120）的导电类型的第一屏蔽区和第二屏蔽区（161，162）为所述体区（120）至少两倍高地掺杂。二极管区（140）在所述第一屏蔽区（161）和所述第二屏蔽区（162）之间与负载电极（310）形成肖特基接触（SC）。
本发明授权碳化硅半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其具有： 栅极结构150，所述栅极结构150从第一表面101出发延伸到SiC半导体本体100中； 在所述SiC半导体本体100中的体区120，所述体区120至少与所述栅极结构150的第一侧壁151邻接； 导电类型为所述体区120的导电类型的第一屏蔽区161和第二屏蔽区162，其中所述第一屏蔽区161和所述第二屏蔽区162为所述体区120至少两倍高地掺杂；以及 二极管区140，所述二极管区140在所述第一屏蔽区161和所述第二屏蔽区162之间与负载电极310形成肖特基接触SC， 其中所述二极管区140具有下部子区148，并且在所述下部子区148与所述第一表面101之间具有上部子区142，其中所述下部子区148的第二平均宽度w2对应于所述上部子区142的第一平均宽度w1的至少120％。
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