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龙图腾网恭喜深圳市宇创显示科技有限公司申请的专利一种偏光片的检测方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119688246B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510224117.6，技术领域涉及：G01M11/00；该发明授权一种偏光片的检测方法及装置是由赵金宝;赵金强;解蕊设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种偏光片的检测方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种偏光片的检测方法及装置，方法包括：采用宽频介电谱测定偏光片的电介质特性，分析介电特性随频率的变化曲线，确定偏光片的敏感区域分布；在敏感区域施加频率调制声学信号，测定表面电势变化特性，获取防静电层或导电层的电荷分布状态；保持频率调制声学信号，采用双探针差分测量模式对偏光片进行扫描，根据电势差与声学信号的相位关系确定电场分布；测定异常电场区域正交偏振态光的透过特性，分析偏振分量的强度比值和相位差；基于电荷分布状态、电场分布和偏振态光的透过特性，分析防静电层或导电层中的杂散电场分布及其对偏光片光学性能的影响。本发明技术方案能够提升偏光片检测的精度与可重复性。

本发明授权一种偏光片的检测方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种偏光片的检测方法，其特征在于，所述偏光片包括防静电层或导电层，所述偏光片的检测方法包括：采用宽频介电谱测定偏光片的电介质特性，分析介电特性随频率的变化曲线，确定偏光片的敏感区域分布；所述采用宽频介电谱测定偏光片的电介质特性，分析介电特性随频率的变化曲线，确定偏光片的敏感区域分布，包括：对偏光片进行网格化分区，测定各分区在1Hz至10MHz频率范围内的介电常数和介电损耗；根据所述介电常数和介电损耗计算相邻分区的介电特性差值，获取偏光片的介电特性空间分布；在相对湿度25%~35%和相对湿度55%~65%条件下分别测定所述介电特性空间分布，获取介电特性的湿度响应数据；对介电损耗差值超过预设阈值的分区进行1Hz至10MHz范围内的连续频率扫描，测定介电损耗的频率响应曲线；根据所述介电特性空间分布、湿度响应数据和频率响应曲线，确定偏光片的敏感区域分布；在敏感区域施加频率调制声学信号，测定表面电势变化特性，获取所述防静电层或导电层的电荷分布状态；保持所述频率调制声学信号，采用双探针差分测量模式对偏光片进行扫描，根据电势差与声学信号的相位关系确定电场分布；所述保持所述频率调制声学信号，采用双探针差分测量模式对偏光片进行扫描，根据电势差与声学信号的相位关系确定电场分布，包括：在稳定区域设置参考探针，测定声学信号调制下的参考电势动态响应；对偏光片进行螺旋路径扫描，获取各扫描点电势动态变化数据；根据所述参考电势动态响应和电势动态变化数据，计算各扫描点的电势差动态特征；对所述电势差动态特征进行相位分析，获取电荷迁移响应分布；根据所述电荷迁移响应分布确定偏光片的电场分布；在确定的异常电场区域，测定正交偏振态光的透过特性，分析偏振分量的强度比值和相位差；基于所述电荷分布状态、电场分布和正交偏振态光的透过特性，分析所述防静电层或导电层中的杂散电场分布及其对偏光片光学性能的影响；所述基于所述电荷分布状态、电场分布和正交偏振态光的透过特性，分析所述防静电层或导电层中的杂散电场分布及其对偏光片光学性能的影响，包括：根据所述电荷分布状态和所述电场分布的空间对应关系，计算电荷-电场耦合系数，获取所述防静电层或导电层中的异常电场区域分布数据；对所述异常电场区域分布数据进行层向分析，获取所述防静电层或导电层在不同深度的杂散电场分布特征；根据所述正交偏振态光的透过特性，对所述杂散电场分布特征进行校正，得到所述防静电层或导电层的本征电场分布数据；对所述电荷分布状态进行连续采样分析，获取所述防静电层或导电层中的电荷迁移特征数据；根据所述电荷迁移特征数据对所述本征电场分布数据进行修正，得到所述防静电层或导电层中的杂散电场时变分布特征；根据所述杂散电场时变分布特征对所述正交偏振态光的透过特性进行分析，获取偏光片的透过率衰减数据和消光比变化数据。

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