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龙图腾网恭喜上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利沉积金属扩散阻挡层的方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084015B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210832844.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权沉积金属扩散阻挡层的方法及设备是由朱宝;罗夕琼;沈晓良;尹睿;张卫设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本沉积金属扩散阻挡层的方法及设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种沉积金属扩散阻挡层的方法及设备，该方法包括提供衬底，所述衬底具有通孔结构；在通孔结构的表面进行金属有机化合物前驱体的吸附；对金属有机化合物前驱体进行高温分解，得到金属原子和有机配体气态分子；去除衬底上的所述有机配体气态分子；将高能等离子体与所述通孔结构侧壁上的所述金属原子进行反应，得到金属扩散阻挡层。本发明通过将通孔结构的表面进行金属有机化合物前驱体的吸附，并通过对金属有机化合物前驱体进行高温分解，得到金属原子和有机配体气态分子，将衬底上的有机配体气态分子去除后，与高能等离子体反应，得到金属扩散阻挡层，大大降低了金属扩散阻挡层的电阻率，提高生成金属扩散阻挡层的可靠性。

本发明授权沉积金属扩散阻挡层的方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种沉积金属扩散阻挡层的方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有通孔结构；在所述通孔结构的表面进行金属有机化合物前驱体的吸附；对所述金属有机化合物前驱体进行高温分解，得到金属原子和有机配体气态分子；去除所述衬底上的所述有机配体气态分子；将高能等离子体与所述通孔结构侧壁上的所述金属原子进行反应，得到金属扩散阻挡层；所述将高能等离子体与所述通孔结构侧壁上的所述金属原子进行反应，得到金属扩散阻挡层之前，包括：开启等离子发送器，并且在所述衬底的周边提供电场；通入反应气体，所述等离子发送器用于激发所述反应气体产生所述高能等离子体；所述电场用于将所述高能等离子体吸附至所述通孔结构侧壁；所述得到金属扩散阻挡层之后，包括：通入惰性气体对所述衬底进行吹扫。

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