恭喜苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116261769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080104691.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体结构的制作方法是由程凯;向鹏设计研发完成，并于2020-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制作方法。该制作方法包括以下步骤：步骤S1：在衬底上形成第一外延结构，第一外延结构中掺杂有掺杂元素；步骤S2：在第一外延结构上形成牺牲层；步骤S3：刻蚀牺牲层；步骤S4：在完成刻蚀牺牲层的第一外延结构上生长插入层；步骤S5：在插入层上继续生长第二外延结构；其中，在进入步骤S4前，重复N次步骤S2和S3，直至第一外延结构中的掺杂元素的浓度低于预设值。本申请通过在第一外延结构上形成牺牲层并反复刻蚀牺牲层，以使第一外延结构中的掺杂元素的浓度低于一预设值，从而防止第一外延结构中的掺杂元素向上析出进入上层的外延结构，保证上层的外延结构的电子的迁移率，以及提高器件的性能。
本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：S1：在衬底上形成第一外延结构，所述第一外延结构中掺杂有掺杂元素；S2：在所述第一外延结构上形成牺牲层；S3：刻蚀所述牺牲层；S4：在完成刻蚀所述牺牲层的所述第一外延结构上生长插入层；S5：在所述插入层上继续生长第二外延结构；其中，在进入步骤S4前，重复N次步骤S2和S3，直至所述第一外延结构中的掺杂元素的浓度低于预设值；所述牺牲层的材料包括InN、InGaN、InAlN、InAlGaN、GaN中的一种或多种组合。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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