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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件和制造半导体器件的设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111724828B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010180730.X，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权半导体器件和制造半导体器件的设备是由林泰洙;朴景旭;李根;韩赫设计研发完成，并于2020-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和制造半导体器件的设备在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的设备。所述半导体器件包括：交替堆叠在衬底上的栅电极和层间绝缘层；沟道结构，所述沟道结构在第一方向上彼此间隔开并竖直地穿过所述栅电极和所述层间绝缘层延伸到所述衬底；以及第一分隔区域，所述第一分隔区域竖直地延伸穿过所述栅电极和所述层间绝缘层。每个栅电极包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层设置在所述第二导电层与两个相邻的层间绝缘层中的每个层间绝缘层之间。在每个栅电极的位于与所述第一分隔区域相邻的最外面的沟道结构与所述第一分隔区域之间的第一区域中，所述第一导电层的厚度朝向所述第一分隔区域减小，并且所述第二导电层的厚度朝向所述第一分隔区域增大。

本发明授权半导体器件和制造半导体器件的设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：交替堆叠在衬底上的多个栅电极和多个层间绝缘层；多个沟道结构，所述多个沟道结构在第一方向上彼此间隔开并竖直地穿过所述多个栅电极和所述多个层间绝缘层延伸到所述衬底；以及第一分隔区域，所述第一分隔区域竖直地延伸穿过所述多个栅电极和所述多个层间绝缘层，其中，所述多个栅电极中的每个栅电极包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层设置在所述第二导电层与所述多个层间绝缘层中的两个相邻的层间绝缘层中的每个层间绝缘层之间，在所述多个栅电极中的每个栅电极的位于所述多个沟道结构中的与所述第一分隔区域相邻的最外面的沟道结构与所述第一分隔区域之间的第一区域中，所述第一导电层的厚度朝向所述第一分隔区域减小，并且所述第二导电层的厚度朝向所述第一分隔区域增大，并且其中，所述第一导电层包括位于所述两个相邻的层间绝缘层中的每个层间绝缘层上的第一成核层以及堆叠在所述第一成核层上的第一主体层。

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