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龙图腾网恭喜北京怀柔实验室申请的专利功率半导体器件及其抗爆结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222867675U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520594862.5，技术领域涉及：H01L23/48；该实用新型功率半导体器件及其抗爆结构是由唐新灵;王亮;魏晓光;林仲康;王耀华;代安琪;高佳敏;韩荣刚设计研发完成，并于2025-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率半导体器件及其抗爆结构在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开一种功率半导体器件及其抗爆结构，该功率半导体器件包括芯片以及将芯片封装的管壳，芯片上设有阴极电极，阴极电极与管壳阴极连接，抗爆结构包括第一泄爆通道、第二泄爆通道以及泄爆空腔；第一泄爆通道贯穿设于阴极电极上并沿轴向延伸；第二泄爆通道设于管壳阴极上并沿轴向延伸，第一泄爆通道的一端与第二泄爆通道对应连通，另一端朝向芯片的一侧设置；泄爆空腔设于管壳阴极上，第二泄爆通道背离第一泄爆通道的一端与泄爆空腔连通，泄爆空腔能够将爆炸能量导出至管壳外部。本申请通过在阴极电极和管壳阴极上均设有泄爆通道，将内部的爆炸能量引导至泄爆通道，并经由泄爆空腔卸掉爆炸能量，从而提升管壳的抗爆能力。

本实用新型功率半导体器件及其抗爆结构在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件的抗爆结构，其特征在于，所述功率半导体器件包括芯片（100）以及将所述芯片（100）封装的管壳，所述芯片（100）上设有与管壳阴极（102）连接的阴极电极（101），所述抗爆结构包括：第一泄爆通道（10），贯穿所述阴极电极（101）设置并沿轴向延伸；第二泄爆通道（20），设于所述管壳阴极（102）上并沿轴向延伸，所述第一泄爆通道（10）的一端朝向所述芯片（100）设置，另一端与所述第二泄爆通道（20）对应连通；泄爆空腔（30），设于所述管壳阴极（102）上，所述第二泄爆通道（20）背离所述第一泄爆通道（10）的一端与所述泄爆空腔（30）连通，所述泄爆空腔（30）用于将爆炸能量导出至所述管壳的外部。

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