买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜杭州电子科技大学申请的专利一种适用于片上电源滤波的高密度电容及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314351B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310090461.1，技术领域涉及：H10D1/66；该发明授权一种适用于片上电源滤波的高密度电容及其实现方法是由罗将;赵镇鑫;张智;刘军设计研发完成，并于2023-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于片上电源滤波的高密度电容及其实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种适用于片上电源滤波的高密度电容及其实现方法。本发明所涉及的高密度的片上电容，包括有源MOS电容和无源MOM电容两部分。其中，有源MOS电容通过一个大尺寸MOS晶体管实现，MOS晶体管的栅极和供电金属平面连接，MOS晶体管的源极和漏极和地平面并接，当供电金属平面施加正向电压时，MOS管的栅极和其源极与漏极之间形成显著的大电容效应。MOM电容通过多层金属垂直堆叠的交叉插指电容阵列实现。在电气连接方式上，有源MOS电容和无源MOM电容以并联的方式连接共同作用，在紧凑的尺寸内实现极高的电容密度，而且结构紧凑，占用面积小，制造成本低，兼容于多种半导体工艺，易于大规模集成。

本发明授权一种适用于片上电源滤波的高密度电容及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于片上电源滤波的高密度电容，其特征在于由有源MOS电容10和无源MOM电容构成；有源MOS电容10位于供电金属平面的下方，无源MOM电容位于供电金属平面的上方，有源MOS电容10的栅极和无源MOM电容的一端共同连接到供电金属平面，有源MOS电容10的源极和漏极短接到地平面，无源MOM电容的另一端通过第一金属通孔6短接到地平面；有源MOS电容10和无源MOM电容以并联的方式连接；所述无源MOM电容为两端口互易器件，由第五金属层5、第四金属层4、第三金属层3、第四金属通孔9和第三金属通孔8构成，其中所述第五金属层5、第四金属层4、第三金属层3间存在氧化物介质层；所述第四金属通孔9和第三金属通孔8贯穿氧化物介质层；所述第五金属层5、第四金属层4的两端通过第四金属通孔9堆叠连接在一起，第四金属层4和第三金属层3的两端通过第三金属通孔8堆叠连接在一起，三层金属层依次垂直堆叠连接；第五金属层5、第四金属层4和第三金属层3被刻蚀成交叉插指图案；所述无源MOM电容的电容值C1根据如下公式进行调控： 式中ε表示制造工艺的介电常数，a表示叉指有效长度，b表示叉指的宽度，t表示叉指的厚度，d表示叉指的间距，n表示叉指的数量；当在有源MOS电容10的栅极上施加正向电压时，有源MOS电容10的源极和漏极之间会形成导电沟道，存在强电容效应，此时就会形成高密度的MOS电容，有源MOS电容10的电容值C2根据如下公式进行调控： 式中，Cox和Cov分别是单位面积的栅氧化层电容和单位宽度的交叠电容，L表示栅长，W表示栅宽。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州电子科技大学，其通讯地址为：310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。