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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利针对3D NAND集成具有改善的蚀刻选择性的氮化物膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113302716B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980088493.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权针对3D NAND集成具有改善的蚀刻选择性的氮化物膜是由普拉莫德·苏布拉莫尼姆;纳格拉杰·尚卡尔;马来·米兰·萨曼塔雷;吉泽克典;巴特·J·范施拉文迪克设计研发完成，并于2019-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本针对3D NAND集成具有改善的蚀刻选择性的氮化物膜在说明书摘要公布了：提供了一种在氧化物层上沉积氮化物层以形成氧化物‑氮化物堆叠件的方法。该方法包含：将惰性气体供应至支撑具有所述氧化物层的衬底的等离子体增强化学气相沉积PECVD反应器中。然后，向所述PECVD反应器的电极提供功率，所述功率被配置成激励等离子体。接着，使反应物气体流入所述PECVD反应器。所述反应物气体包含第一体积百分比的氨气NH3、第二体积百分比的氮气N2、第三体积百分比的硅烷SiH4和第四体积百分比的氧化剂。所述氧化剂的所述第四体积百分比为至少0.5％的体积百分比且小于约8％的体积百分比。然后，持续使所述反应物气体流入所述PECVD反应器中，直到确定所述氮化物层在所述氧化物层上达到目标厚度为止。

本发明授权针对3D NAND集成具有改善的蚀刻选择性的氮化物膜在权利要求书中公布了：1.一种在氧化物层上沉积氮化物层以形成氧化物-氮化物堆叠件的方法，其包含：将惰性气体供应至支撑具有所述氧化物层的衬底的等离子体增强化学气相沉积PECVD反应器中；向所述PECVD反应器的电极提供功率，所述功率被配置成激励等离子体；使反应物气体流入所述PECVD反应器，所述反应物气体包含第一体积百分比的氨气NH3、第二体积百分比的氮气N2、第三体积百分比的硅烷SiH4和第四体积百分比的氧化剂，其中所述氧化剂的所述第四体积百分比为至少0.5％的体积百分比且小于8％的体积百分比；以及持续使所述反应物气体流入所述PECVD反应器中，直到确定所述氮化物层在所述氧化物层上达到目标厚度为止。

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