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恭喜三星电子株式会社李吉镐获国家专利权

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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利磁存储器装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111211220B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910863772.0,技术领域涉及:H10N50/10;该发明授权磁存储器装置是由李吉镐;高宽协;宋胤宗设计研发完成,并于2019-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

磁存储器装置在说明书摘要公布了:提供了磁随机存取存储器MRAM装置。MRAM装置可包括:磁隧道结MTJ,其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层;以及导电层,其邻近于MTJ的自由层。导电层可包括水平部分以及远离水平部分突出并且在垂直于竖直方向的水平方向上彼此间隔开的第一突出部分和第二突出部分。自由层的一侧和水平部分的一侧可形成笔直的一侧。

本发明授权磁存储器装置在权利要求书中公布了:1.一种磁随机存取存储器装置,包括:磁隧道结,其包括在竖直方向上按次序堆叠的自由层和钉扎层;以及导电层,其邻近于所述磁隧道结的自由层,其中,所述导电层包括:水平部分;以及第一突出部分和第二突出部分,其远离所述水平部分突出,并且在垂直于所述竖直方向的水平方向上彼此间隔开,其中,所述自由层的一侧和所述水平部分的一侧形成笔直的一侧,其中,所述第一突出部分包括面对所述第二突出部分的第一侧和与所述第一突出部分的第一侧相对的第二侧,并且其中,在平面图中,所述第一突出部分的第二侧相对于所述水平部分的所述一侧朝着所述第二突出部分凹进。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社,其通讯地址为:韩国京畿道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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