恭喜中国电子科技集团公司第十三研究所李亮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利谐振器及半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110868169B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910080476.3,技术领域涉及:H03H3/02;该发明授权谐振器及半导体器件是由李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;崔玉兴;杨志;李宏军设计研发完成,并于2019-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本谐振器及半导体器件在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体技术领域,公开了一种谐振器和半导体器件。该谐振器包括:衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层;其中,在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体,所述腔体由所述衬底的上侧面和所述多层结构的下侧面围成,所述多层结构的下侧面与所述腔体对应部分的中部区域为平面,且中部区域的边缘与所述腔体边缘之间为圆滑过渡的平滑曲面,所述平滑曲面位于所述衬底的上侧面和所述平面之间。上述谐振器通过设置顶壁为平面的腔体,从而形成一种新型的谐振器结构,且具有较好的性能。
本发明授权谐振器及半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种谐振器,其特征在于,包括:衬底;多层结构,形成于所述衬底上,所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层;其中,在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体,所述腔体由所述衬底的上侧面和所述多层结构的下侧面围成,所述多层结构的下侧面与所述腔体对应部分的中部区域为平面,且中部区域的边缘与所述腔体边缘之间为圆滑过渡的平滑曲面,所述平滑曲面位于所述衬底的上侧面和所述平面之间;所述平滑曲面包括圆滑过渡连接的第一曲面和第二曲面;所述平滑曲面与所述衬底接触处的切面与所述衬底的夹角小于45度;所述腔体的形状由屏蔽层的具体形状来形成;所述屏蔽层的形状与牺牲材料部分的形状一致;所述屏蔽层的边缘处由多次离子注入形成多层掺杂杂质层,在多次离子注入中能量最大的第一次离子注入的深度小于屏蔽层的厚度;在屏蔽层的边缘处,所述屏蔽层相对于离子注入方向的厚度,通过变换离子注入的方向得到不同深度的掺杂杂质层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第十三研究所,其通讯地址为:050051 河北省石家庄市新华区合作路113号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。