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龙图腾网恭喜大连芯材薄膜技术有限公司申请的专利一种高性能电阻型深低温温度传感器及制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119845441B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510329554.4，技术领域涉及：G01K7/18；该发明授权一种高性能电阻型深低温温度传感器及制造工艺是由周大雨;亢晓奎;张斌;寇启迪;徐进设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能电阻型深低温温度传感器及制造工艺在说明书摘要公布了：本发明提供一种高性能电阻型深低温温度传感器及制造工艺，属于深低温温度传感器技术领域。所述高性能电阻型深低温温度传感器为叠层结构，包括：器件衬底，沉积在所述器件衬底上的敏感层薄膜，沉积在所述敏感层薄膜上的电极层薄膜，电极层薄膜经刻蚀后所形成的叉指图形；所述敏感层薄膜为过渡金属铪或锆的单氮化物，所述电极层薄膜也为过渡金属铪或锆的单氮化物，两层薄膜的材料相同，但各自元素含量不同，物相体系不同。本发明能够在保证温度传感器具有高的灵敏度和精度的前提下，减少敏感层薄膜和电极层薄膜的开裂脱落、提升器件的寿命和可靠性，显著提高器件的应用稳定性；可在低温温度传感器技术领域广泛推广。

本发明授权一种高性能电阻型深低温温度传感器及制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种高性能电阻型深低温温度传感器，其特征在于，所述的高性能电阻型深低温温度传感器为叠层结构，包括：器件衬底，沉积在所述器件衬底上的敏感层薄膜，沉积在所述敏感层薄膜上的电极层薄膜，电极层薄膜经刻蚀后所形成的叉指图形；所述敏感层薄膜为过渡金属铪或锆的单氮化物，所述电极层薄膜也为过渡金属铪或锆的单氮化物，两层薄膜的材料相同，但各自元素含量不同，物相体系不同；所述敏感层薄膜、电极层薄膜具体为：所述敏感层薄膜采用呈半导体导电特性的过化学计量比的混相氮化铪或氮化锆；所述敏感层薄膜中的单氮化物为HfNx或ZrNx，敏感层薄膜中的氮含量高，元素的化学计量比x处在1.1~1.2区间；所述电极层薄膜采用具有良好导电性的近化学计量比的岩盐相氮化铪或氮化锆；所述电极层薄膜中的单氮化物为HfN或ZrN，电极层薄膜中的氮含量低、为近化学计量比的岩盐相HfN或ZrN薄膜。

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