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龙图腾网恭喜苏州汇科技术股份有限公司申请的专利一种半导体真空回收循环烧结炉获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119826531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510302929.8，技术领域涉及：F27B9/04；该发明授权一种半导体真空回收循环烧结炉是由董安伟;曹志军设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体真空回收循环烧结炉在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体烧结炉技术领域，公开了一种半导体真空回收循环烧结炉。本发明在烧结盘的自重以及对应的各个填充框架的作用下，各个填充框架能够带动对应的各个烧结盘在烧结腔内部升降，将位于中间位置的烧结盘定位在烧结腔的中央位置，从而能够将各个烧结盘相对均衡地处于靠近烧结腔中部的温度均匀的位置，进而能够保证各个烧结盘的烧结环境相对恒定，最终有效地提高半导体原料的烧结效果；通过控制烧结腔内部的温度以及烧结腔内部的气压和气氛环境，适时调整烧结腔内部的气体循环和压力条件，从而能够有效匹配和适应半导体的烧结过程，以有效保证半导体产品烧结的品质。

本发明授权一种半导体真空回收循环烧结炉在权利要求书中公布了：1.一种半导体真空回收循环烧结炉，包括保护炉体，其特征在于，所述保护炉体内部中央设置有烧结腔，所述保护炉体正面并且位于所述烧结腔外侧设置有密封炉门，所述保护炉体内部并且位于所述烧结腔外侧依次设置有导热筒体、加热腔和保温筒体；所述烧结腔内部设置有烧结定位支架，所述烧结定位支架包括升降定位支架和填充框架，所述填充框架设置在所述升降定位支架的顶端；所述填充框架内部从下到上能够滑动填充若干个烧结盘，在各个所述烧结盘从所述填充框架的底端向所述填充框架的顶端依次填充的过程中，各个所述填充框架能够带动对应的各个所述烧结盘在所述烧结腔内部升降，将位于中间位置的所述烧结盘定位在所述烧结腔的中央位置；所述保护炉体内部还设置有抽气机构和补气机构，所述抽气机构能够独立对所述烧结腔内部进行抽气，所述补气机构能够独立向所述烧结腔内部进行补气，所述抽气机构和所述补气机构能够配合对所述烧结腔内部的气氛进行调整；所述升降定位支架包括外部限位框架，所述外部限位框架内部设置有若干个升降限位轨道，位于最外侧的各个所述升降限位轨道下方均设置有弹簧固定板；各个所述弹簧固定板顶端均固定有位置调整弹簧，各个所述填充框架从下到上依次嵌入各个所述升降限位轨道内部，各个所述位置调整弹簧远离对应的所述弹簧固定板的一端均位于最底端的所述填充框架的底面之间固定。

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