恭喜长飞光纤光缆股份有限公司;武汉长飞通用电缆有限公司史文凯获国家专利权
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龙图腾网恭喜长飞光纤光缆股份有限公司;武汉长飞通用电缆有限公司申请的专利超低衰减射频同轴电缆与漏泄同轴电缆及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833239B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510301416.5，技术领域涉及：H01B11/18；该发明授权超低衰减射频同轴电缆与漏泄同轴电缆及其制备方法是由史文凯;王念立;李申月;邱石;张乐设计研发完成，并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本超低衰减射频同轴电缆与漏泄同轴电缆及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于无线通信技术领域，更具体地，涉及一种超低衰减射频同轴电缆与漏泄同轴电缆及其制备方法。本申请采用三层共挤技术制备泡沫层，通过工艺调整各层发泡材料中发泡气体的注气压力，以及各层发泡材料的挤出压力，最终实现射频同轴电缆与漏泄同轴中泡沫层的发泡度达到85%及以上，且泡沫层中气孔孔径分布均匀，由此使得在保持标准要求电缆抗压强度的前提下有效降低介电常数和信号传输衰减，采用本申请方法制备的射频同轴电缆与漏泄同轴电缆在100MHz‑3700MHz频段范围的衰减值相较于现有常规工艺的衰减值平均优化了约13.3%。
本发明授权超低衰减射频同轴电缆与漏泄同轴电缆及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超低衰减射频同轴电缆，包括由内而外同心嵌套的内导体、复合绝缘层、外导体和外护套，所述复合绝缘层中包括泡沫层，其特征在于：所述泡沫层采用三层共挤技术制备而成，各层挤出发泡材料相同，各层挤出压力呈阶梯递增，各层挤出发泡材料中发泡气体的注气压力呈阶梯递增；所述泡沫层的发泡度不小于85%；所述泡沫层中所有气孔的孔径分布均匀。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长飞光纤光缆股份有限公司;武汉长飞通用电缆有限公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市东湖高新技术开发区光谷大道九号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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