恭喜南京邮电大学赵慧娟获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京邮电大学申请的专利具有SHG响应的二维有机/无机异质结光电器件及其制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119816079B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510295715.2，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权具有SHG响应的二维有机/无机异质结光电器件及其制备是由赵慧娟;唐泽民;高丽;沈翔斌;谢嬖华;赖子杰;丁焕林设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有SHG响应的二维有机/无机异质结光电器件及其制备在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有SHG响应的二维有机无机异质结光电器件及其制备，属于非线性光学器件技术领域。制备时，先通过机械剥离法将二维无机材料对撕到衬底上，得二维无机材料衬底结构；再通过外延生长法诱导有机分子在二维无机材料表面有序排列，形成有机无机异质结。本申请通过调控有机分子的覆盖度和二维无机材料的厚度优化异质结界面处的电荷转移，从而增强材料的SHG响应，所制Me‑PTCDIGaSe异质结的SHG响应强度优于单一组分，其光谱响应可以从原本的可见光范围拓展到近红外波段，SHG转换效率甚至高达0.26%，在非线性光学器件中具有重要应用潜力。
本发明授权具有SHG响应的二维有机/无机异质结光电器件及其制备在权利要求书中公布了：1.一种具有SHG响应的二维有机无机异质结光电器件，其特征在于，包括衬底、形成异质结的二维无机材料层和有机分子功能层；二维无机材料选自GaSe、InSe、In2Se3和Ga2Se3中的任意一种；有机分子选自N,N'-二甲基-3,4,9,10-苝四甲酰二亚胺或3,4,9,10-苝四羧酸二酐；少层二维无机材料层通过机械剥离法制备，有机分子功能层是通过外延生长法生长在少层二维无机材料层上的均匀单层薄膜；衬底上二维无机材料层的厚度为10nm~70nm；有机分子功能层的厚度为0.5nm~50nm；所述二维有机无机异质结光电器件的SHG光谱响应从可见光范围拓展到近红外波段，SHG转换效率能达到0.26%。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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