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龙图腾网恭喜中北大学申请的专利一种基于ITO电阻损耗的宽带极化不敏感太赫兹吸波材料获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764870B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510270403.6，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种基于ITO电阻损耗的宽带极化不敏感太赫兹吸波材料是由郝亚峰;刘美宏;李腾腾;朱璞;武慧佳;马富鹏;雷程;梁庭设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于ITO电阻损耗的宽带极化不敏感太赫兹吸波材料在说明书摘要公布了：本发明的目的在于提供一种基于ITO电阻损耗的宽带极化不敏感太赫兹吸波材料，属于太赫兹吸波材料技术领域，旨在解决现有太赫兹吸波材料在宽频吸收能力、斜入射角适应性、极化不敏感性及结构轻量化等方面的不足。所述吸波材料，从上至下依次包括四层由ITO贴片单元组成的ITO电阻损耗层，每层ITO电阻损耗层粘附在PET双面胶层上，并通过PS泡沫介质层进行分割。该结构实现了极化不敏感特性，消除了现有吸波材料对极化角度依赖的问题。

本发明授权一种基于ITO电阻损耗的宽带极化不敏感太赫兹吸波材料在权利要求书中公布了：1.一种基于ITO电阻损耗的宽带极化不敏感太赫兹吸波材料，其特征在于：所述吸波材料可实现0.84~7.1THz大范围内大于90%吸收率；所述吸波材料从上至下依次包括四层由导电材料ITO贴片单元组成的ITO电阻损耗层，每层ITO电阻损耗层粘附在介电材料PET双面胶层上，并通过介电材料PS泡沫介质层进行分割；位于最上层的ITO电阻损耗层的ITO贴片单元采用横向和竖向各两个的四方块状图案设计，贴片间距为O2，贴片的宽度为L3；从上至下的第二层的ITO电阻损耗层的ITO贴片单元为方形环状结构，由边长为L2的正方形去除中间边长为O1的正方形构成；从上至下的第三层的ITO电阻损耗层的ITO贴片单元采用边长为L1的正方形连续平面结构；最底层的ITO电阻损耗层的ITO贴片单元为边长为P的正方形，为整个吸波材料件的反射层，接近理想导体；所述介电材料PET双面胶层的介电常数为2.62，损耗角正切0.014；介电材料PS泡沫介质层的介电常数1.1，损耗角正切0.018；从上至下，ITO电阻损耗层的方阻依次为200Ω、220Ω、230Ω、150Ω；P=50μm，L1=49μm，L2=43μm，L3=17.5μm，O1=10μm，O2=8μm；介电材料PS泡沫介质层的厚度为12.5μm，PET双面胶层的厚度为1μm。

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