恭喜意法半导体国际有限公司V·拉纳获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体国际有限公司申请的专利在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114627936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111493038.3，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法是由V·拉纳;N·达拉尔设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法在说明书摘要公布了：实施例提供了在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法。本公开涉及一种包括非易失性存储器NVM的集成电路。该集成电路包括偏置生成器，该偏置生成器产生用于NVM的可靠读取操作的稳定字线电压和位线电压。本公开涉及存储器读取、擦除验证和编程验证的低电压存储器操作。本公开涉及非易失性存储器电路，该非易失性存储器电路也可以在数字电压供应范围内的低电源电压处操作。
本发明授权在非易失性存储器中生成偏置电压的设备和方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器电路，包括：主存储器阵列；多个感测放大器，耦合到所述主存储器阵列；偏置复制电路，耦合到所述主存储器阵列，其中所述偏置复制电路包括所述主存储器阵列的部件的表示，以复制所述主存储器阵列的特征；共源共栅电压生成电路，耦合到所述多个感测放大器和所述偏置复制电路，其中所述共源共栅电压生成电路通过由所述共源共栅电压生成电路生成的共源共栅电压而耦合到所述多个感测放大器；电流镜，被配置为镜像来自所述偏置复制电路的电流；电流比较器，被配置为比较镜像的所述电流与参考电流；振荡器，耦合到所述电流比较器；相位生成器，耦合到所述振荡器；以及电荷泵，耦合到所述相位生成器和所述偏置复制电路。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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