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龙图腾网恭喜绍兴同芯成集成电路有限公司申请的专利一种基于玻璃载盘的缓坡状晶圆加工工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114093804B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111340998.6，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权一种基于玻璃载盘的缓坡状晶圆加工工艺是由严立巍;符德荣;陈政勋设计研发完成，并于2021-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于玻璃载盘的缓坡状晶圆加工工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于玻璃载盘的缓坡状晶圆加工工艺，包括以下步骤：S1、蚀刻形成缓坡状晶圆结构；S2、将的晶圆放置在第一载盘上进行晶圆背面制程；S3、涂布聚酰亚胺使晶圆背面平坦化，在晶圆背面倒扣第二载盘，翻转晶圆后移除第一载盘；S4、在晶圆正面进行镀膜、蚀刻形成金属PAD，然后涂布聚酰亚胺，利用光刻、氧气电浆在正面聚酰亚胺层表面对应金属PAD处开窗，然后进行化镀；S5、完成晶圆切割；S6、移除第二载盘，除去背面聚酰亚胺；S7、除去四周环形缓坡状边缘，利用第二切割模框翻转晶圆。本发明利用缓坡状晶圆先进行背面金属制程，再进行正面制程时无需考虑温度的限制，同时利用聚酰亚胺填充及玻璃载盘的支撑，缓冲应力，避免晶圆破损裂片。

本发明授权一种基于玻璃载盘的缓坡状晶圆加工工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于玻璃载盘的缓坡状晶圆加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、蚀刻晶圆背面使边缘形成缓坡状晶圆结构；S2、将背面完成缓坡状的晶圆放置在第一载盘上，晶圆正面与第一载盘表面的凹槽平面无缝贴合，然后在进行晶圆背面进行离子植入、高温回火及背面金属制程；S3、在晶圆背面涂布聚酰亚胺，通过氧气电浆蚀刻除去晶圆缓坡外的聚酰亚胺使晶圆背面平坦化，然后在晶圆背面的上方倒扣第二载盘，晶圆背面与第二载盘表面的凹槽平面无缝贴合，整体翻转第一载盘、晶圆和第二载盘后移除第一载盘；S4、在晶圆正面进行镀膜、蚀刻形成金属PAD，然后涂布聚酰亚胺，形成对晶圆正面和第二载盘的全覆盖，利用光刻、氧气电浆在正面聚酰亚胺层表面对应金属PAD处开窗，然后进行化镀；S5、利用光刻、氧气电浆在正面聚酰亚胺层表面蚀刻形成切割通道，再通过含氟电浆蚀刻晶圆切割道至背面金属层，最后通过激光切断背面金属；S6、将利用溶剂或氧气电浆除去晶圆正面的四周环形区域的聚亚酰胺，然后将晶圆正面贴附在第一切割模框上，移除第二载盘，再利用氧气电浆除去背面聚酰亚胺；S7、除去四周环形缓坡状边缘，然后将晶圆背面贴附在第二切割模框上，整体翻转第一切割模框、晶圆和第二切割模框，通过紫外光移除第一切割模框黏性，取下第一切割模框即可。

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