恭喜浙江睿熙科技有限公司林珊珊获国家专利权
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龙图腾网恭喜浙江睿熙科技有限公司申请的专利在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111159299.1，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法是由林珊珊;王立;李念宜设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法在说明书摘要公布了：公开了一种在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法，所述在晶圆级别集成的厚度检测装置包括：第一电容板，其中，在所述VCSEL单元的制备过程中，该绝缘层适于被等厚地形成于所述第一电容板和所述P‑DBR层上；以及，叠置于该绝缘层的第二电容板；其中，所述绝缘层的厚度适于基于所述第一电容板和所述第二电容板之间的电容值、该绝缘层的相对介电常数，以及，所述第二电容板的长度和宽度决定。所述厚度检测装置可降低检测成本，并快速地检测形成于VCSEL激光器的激光出射路径上的绝缘层的厚度，以提高检测效率。
本发明授权在晶圆级别集成的厚度检测装置和VCSEL单元的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种在晶圆级别集成的厚度检测装置，用于测量VCSEL单元中形成于P-DBR层上的绝缘层的厚度，其特征在于，包括：第一电容板，其中，在所述VCSEL单元的制备过程中，该绝缘层适于被等厚地形成于所述第一电容板和所述P-DBR层上；以及，叠置于该绝缘层的第二电容板；其中，所述绝缘层的厚度适于基于所述第一电容板和所述第二电容板之间的电容值、该绝缘层的相对介电常数，以及，所述第二电容板的长度和宽度决定。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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