恭喜深南电路股份有限公司黄立湘获国家专利权
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龙图腾网恭喜深南电路股份有限公司申请的专利一种芯片基板及其制作方法、封装芯片及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111354683B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811571262.8，技术领域涉及：H01L23/13；该发明授权一种芯片基板及其制作方法、封装芯片及其封装方法是由黄立湘;缪桦设计研发完成，并于2018-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片基板及其制作方法、封装芯片及其封装方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种芯片基板及其制作方法、封装芯片及其封装方法，该芯片基板上设有多个导孔，芯片基板的中心位置的导孔的间距小于芯片基板的边缘位置的导孔的间距。该封装芯片包括裸芯片以及上述芯片基板，该芯片基板上设置有至少一个凹槽，裸芯片固定于凹槽内，裸芯片与芯片基板电性连接。芯片基板的制作方法包括：提供一芯片基板，在芯片基板上形成多个导孔，并使芯片基板的中心位置的导孔的间距小于芯片基板的边缘位置的导孔的间距。通过上述方式，本申请能够提高芯片的封装成品率，降低芯片的封装成本。
本发明授权一种芯片基板及其制作方法、封装芯片及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片基板，其特征在于，所述芯片基板上设有多个导孔，所述芯片基板的中心位置的导孔的间距小于所述芯片基板的边缘位置的导孔的间距；其中，从所述芯片基板的中心位置到所述芯片基板的边缘位置，所述多个导孔之间的间距逐渐增大；所述导孔为半通的盲孔；至少一部分所述导孔的内壁设有金属导热层，所述金属导热层围成第二空腔，所述第二空腔内填充有金属导热材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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