恭喜菲拓梅里克斯公司雷鸣获国家专利权
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龙图腾网恭喜菲拓梅里克斯公司申请的专利确定半导体器件特性的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113056814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980043920.2，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权确定半导体器件特性的系统和方法是由雷鸣设计研发完成，并于2019-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本确定半导体器件特性的系统和方法在说明书摘要公布了：二次谐波产生SHG可以用于询问诸如半导体晶片上的层状半导体结构的表面之类的表面。在某些情况下，SHG用于评估诸如金属和氧化物之间的界面区域。多种参数例如输入偏振、输出偏振和入射光束的方位角可能影响SHG信号。因此，对于晶片上的不同类型的图案，这些参数存在差异。多种测试结构上的SHG计量也可以辅助表征样品。
本发明授权确定半导体器件特性的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件制造结构，包括：半导体衬底；支撑在所述半导体衬底上的第一测试结构，所述第一测试结构包括：接触半导体以在所述半导体衬底上形成第一界面区域的第一氧化物层；暴露于周围环境的导电区域；以及互连，所述互连被层间电介质材料所包围，所述互连在暴露于所述周围环境的所述导电区域和所述第一氧化物层之间提供部分电路径，其中，所述第一测试结构被配置为在所述第一界面区域处接收来自光学计量系统的光，并产生能够被所述光学计量系统接收的二次谐波产生的光；以及在所述半导体衬底上的第二测试结构，所述第二测试结构包括接触半导体以在所述半导体衬底上形成第二界面区域的第二氧化物层，其中所述第二测试结构被配置为在所述第二界面区域处接收来自所述光学计量系统的光，并产生能够被所述光学计量系统接收的二次谐波产生的光；其中所述第二测试结构未电连接到暴露于所述周围环境的电接触区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人菲拓梅里克斯公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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