恭喜国科大杭州高等研究院李宁获国家专利权
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龙图腾网恭喜国科大杭州高等研究院申请的专利一种PbSe薄膜肖特基结探测器、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421511B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510001162.5，技术领域涉及：H10F30/227；该发明授权一种PbSe薄膜肖特基结探测器、制备方法及其应用是由李宁;胡佳鹏;仲方;陆卫设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PbSe薄膜肖特基结探测器、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明的一种PbSe薄膜肖特基结探测器、制备方法及其应用，包括钛酸锶衬底，在钛酸锶衬底上的PbSe薄膜，PbSe薄膜一端转移石墨烯薄片，分别在PbSe薄膜和石墨烯薄片上制备电极。在PbSe薄膜和石墨烯薄片上的电极分别是源电极和漏电极；源电极和漏电极为下层金属Cr和上层金属Au复合电极，PbSe薄膜和石墨烯分别与Cr形成肖特基结和欧姆接触，制备PbSe薄膜肖特基结探测器。本发明具备室温中波红外高比探测率和高灵敏度气体探测，同时器件小型化和低功耗，便于集成化且适应多场景应用。
本发明授权一种PbSe薄膜肖特基结探测器、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种PbSe薄膜肖特基结探测器，其特征在于：包括钛酸锶衬底，在钛酸锶衬底上的PbSe薄膜，PbSe薄膜一端转移石墨烯薄片，分别在PbSe薄膜和石墨烯薄片上制备电极，在PbSe薄膜和石墨烯薄片上的电极分别是源电极和漏电极；源电极和漏电极均为由下层金属Cr和上层金属Au堆叠而成的复合电极，利用Cr金属和石墨烯薄片分别作为PbSe薄膜接触电极，通过Cr金属与PbSe薄膜形成金属半导体接触，产生肖特基势垒，通过石墨烯薄片与PbSe薄膜形成欧姆接触。
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