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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种倒装发光二极管芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317276B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411856428.6，技术领域涉及：H10H20/858；该发明授权一种倒装发光二极管芯片及其制备方法是由李文涛;邹燕玲;张存磊;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装发光二极管芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种倒装发光二极管芯片及其制备方法，其中倒装发光二极管芯片的制备方法包括：提供一生长所需的衬底，在衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层；在P型半导体上制备N型导电通孔；在P型半导体层以及N型导电通孔上制备电流扩展层；在N型导电通孔以及电流扩展层上制备隔离槽；在P型半导体层、N型导电通孔、电流扩展层以及隔离槽上制备第一半导体层；在第一半导体层上制备第三绝缘层；在第三绝缘层上制备导热金属层；在导热金属层上制备第四绝缘层；在第四绝缘层上制备焊盘层；利用共晶焊接工艺，将完成步骤S9后的半成品焊接在支架上。

本发明授权一种倒装发光二极管芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1，提供一生长所需的衬底，在所述衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层；S2，在所述P型半导体上制备N型导电通孔；S3，在所述P型半导体层以及所述N型导电通孔上制备电流扩展层；S4，在所述N型导电通孔以及所述电流扩展层上制备隔离槽；S5，在所述P型半导体层、所述N型导电通孔、所述电流扩展层以及所述隔离槽上制备第一半导体层；S6，在所述第一半导体层上制备第三绝缘层；S7，在所述第三绝缘层上制备导热金属层，接着在所述导热金属层上制备N型导热金属层通孔以及P型导热金属层通孔；其中，所述导热金属层厚度介于2000Å-20000Å之间，所述导热金属层的面积大于所述N型半导体层的面积；S8，在所述导热金属层、所述N型导热金属层通孔以及所述P型导热金属层通孔上制备第四绝缘层，接着在所述第四绝缘层上制备N型第四绝缘层通孔、P型第四绝缘层通孔以及设置在所述N型第四绝缘层通孔与所述P型第四绝缘层通孔之间的第四绝缘层连接通孔；S9，在所述第四绝缘层、所述N型第四绝缘层通孔、所述P型第四绝缘层通孔以及所述第四绝缘层连接通孔上制备焊盘层，所述焊盘层包括N型焊盘、P型焊盘以及位于所述P型焊盘和所述N型焊盘之间的导热焊盘；其中，所述第四绝缘层连接通孔用于连接所述导热焊盘和所述导热金属层，所述第四绝缘层连接通孔的面积大于所述导热焊盘的面积，所述导热焊盘的面积大于所述N型焊盘和P型焊盘面积之和，且所述导热焊盘的面积大于所述导热金属层面积的一半；S10，利用共晶焊接工艺，将完成步骤S9后的半成品焊接在支架上；其中，所述支架面积大于所述半成品，在所述支架上设置有散热焊盘和散热金属，所述导热焊盘与所述散热焊盘连接，所述散热焊盘与所述散热金属连接。

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