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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种通过开气隙减少环型磁芯涡流损耗的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411797942.7，技术领域涉及：H01F27/34；该发明授权一种通过开气隙减少环型磁芯涡流损耗的方法是由程明;李成博;王伟设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种通过开气隙减少环型磁芯涡流损耗的方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种通过开气隙减少环型磁芯涡流损耗的方法，包括环型磁芯（1）和薄层气隙（2），所述环型磁芯（1）为环型铁氧体磁芯，薄层气隙（2）设在环型磁芯（1）的内环表面，薄层气隙（2）为一个空气环，环绕环型磁芯（1）内环一周，薄层气隙（2）的内径与环型磁芯（1）的内径相同，薄层气隙（2）的宽度小于环型磁芯（1）的磁芯宽度的二分之一，磁芯结构上保持完整。本发明通过在环型磁芯内侧表面附近开一层围绕磁芯一周的薄层气隙，截断涡流的流通路径，进而涡流损耗被降低。同时，该方法不破坏环型磁芯的结构，环形磁芯结构保持完整，由于气隙极薄，对磁芯的导磁性能影响可以忽略。

本发明授权一种通过开气隙减少环型磁芯涡流损耗的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过开气隙减少环型磁芯涡流损耗的方法，其特征在于，包括环型磁芯1和薄层气隙2，所述环型磁芯1为环型铁氧体磁芯，薄层气隙2设在环型磁芯1的内环表面，薄层气隙2为一个空气环，环绕环型磁芯1内环一周，薄层气隙2的内径与环型磁芯1的内径相同，薄层气隙2的宽度小于环型磁芯1的磁芯宽度的二分之一，磁芯结构上保持完整；所述方法包括以下步骤：S1：基于矢量磁路理论，构建二维电磁场计算方程，得出环型磁芯的磁密、涡流计算公式；S2：基于环型磁芯的磁密、涡流计算公式，进一步得出二维截面的磁通密度、磁滞损耗和涡流损耗分布；S3：基于环型磁芯二维截面的涡流损耗分布，在涡流损耗集中的部分，通过开一定深度的薄层气隙，阻断原有涡流路径，达到降低涡流损耗Pe的目的；所述矢量磁路理论构建的二维电磁场方程，具体为： 式中，μ为磁导率，γ为磁滞角，A为矢量磁位，Js为源电流密度，Je为涡流密度，H为磁场强度，B为磁通密度，ω为角频率；所述磁滞损耗Ph、涡流损耗Pe计算公式，具体为： 式中，V为磁芯体积，T为周期，σ为电导率；所述二维截面磁通密度、磁滞损耗和涡流损耗分布，具体是通过对二维截面赋予边界条件，进而求出截面内每个位置的磁密、损耗数值，边界条件根据安培环路定理得出：∮lH·dl＝NI；式中，l为磁通路径长度，N为绕组匝数，I为绕组电流，H为磁场强度；针对环型磁芯，有： 式中，r为二维截面的某点距离环心轴线的距离。

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