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龙图腾网获悉中国矿业大学申请的专利一种微机电系统半导体氢气传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119465055B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411747680.3，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种微机电系统半导体氢气传感器及其制备方法是由焦明之;陈欣阳;董豪杰;安伟光;吴楷设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微机电系统半导体氢气传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种微机电系统半导体氢气传感器及其制备方法，传感器：包括由上至下设置SnO2、Au、ZnO层、微加热板衬底和陶瓷基底；方法：将靶材安装在靶位上；将微加热板衬底稳固在加热台上；对溅射腔室进行抽真空处理，使溅射腔室的真空度至5×10‑3Pa以下；向腔体内通入氩气，直至腔体内压强达到大约1Pa；在微加热板衬底表面形成厚度为50～200nm的ZnO薄膜；在ZnO薄膜表面形成厚度为2～10nm的Au薄膜，得到ZnO‑Au复合材料；在Au薄膜表面形成厚度为4～10nm的SnO2薄膜，得到ZnO‑Au‑SnO2三明治敏感复合膜。该传感器响应速率快、恢复时间短、检测精度高，该方法能制备出高响值的氢气传感器。

本发明授权一种微机电系统半导体氢气传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微机电系统半导体氢气传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：准备所需要的ZnO靶材、Au靶材和SnO2靶材，并分别将氧化锌、金和二氧化锡靶材安装在磁控溅射仪的不同靶位上，并使位于紫外灯及进气口斜上方45°；步骤二：利用将微加热板衬底通过金丝键合连接到耐高温的陶瓷基底上，然后将陶瓷基底稳固在旋转加热台上，关闭真空门，并进行气密性检查以确保不存在漏气的情况；步骤三：在冷却口连接好冷却水源，在进气口连接氩气供应源；开启磁控溅射系统，对溅射腔室进行抽真空处理，使溅射腔室的真空度至5×10-3Pa以下；步骤四：根据预设的气体流速，向腔体内通入氩气，直至腔体内压强达到大约1Pa；步骤五：选定ZnO靶材作为工作靶材，调整好溅射角度，设定好溅射功率和溅射时间，打开射频开关，开始正式的镀膜过程，直至在微加热板衬底表面形成厚度为50～200nm的ZnO薄膜；步骤六：将工作靶材更换为Au靶材，调整溅射角度，设定好溅射功率和溅射时间，开始在ZnO薄膜表面正式溅射Au薄膜，直至在ZnO薄膜表面形成厚度为2～10nm的Au薄膜，得到Au-ZnO复合材料；步骤七：将工作靶材更换为SnO2靶材，调整溅射角度，设定好溅射功率和溅射时间，再开始在Au薄膜表面正式溅射SnO2薄膜，直至在Au薄膜表面形成厚度为4～10nm的SnO2薄膜，得到ZnO-Au-SnO2三明治敏感复合膜；步骤八：打开溅射腔室，取出ZnO-Au-SnO2三明治敏感复合膜，用于制备氢气传感器。

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