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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利具有全包式DBR结构的微型发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411533592.3，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权具有全包式DBR结构的微型发光二极管及其制备方法是由王琦琦;李陶;王国斌设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有全包式DBR结构的微型发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有全包式DBR结构的微型发光二极管的制备方法，包括如下步骤：制备本体；所述本体的顶部覆盖顶部膜层，所述本体的侧部覆盖侧部膜层；其中，所述侧部膜层覆盖所述顶部膜层的侧面和或所述顶部膜层覆盖所述侧部膜层的顶面；所述顶部膜层和侧部膜层均由第一介质薄膜层和第二介质薄膜层交替沉积得到；制备所述顶部膜层和侧部膜层：确定第一介质薄膜层和第二介质薄膜层的材质、初始单层厚度以及顶部膜层和侧部膜层的初始层数；对初始单层厚度以及初始层数进行优化，并得到最优单层厚度以及层数；根据最优单层厚度以及层数在所述本体上进行镀膜，得到所述具有全包式DBR结构的微型发光二极管。

本发明授权具有全包式DBR结构的微型发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有全包式DBR结构的微型发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备本体；所述本体的顶部覆盖有顶部膜层，所述本体的侧部覆盖有侧部膜层；其中，所述侧部膜层覆盖所述顶部膜层的侧面或所述顶部膜层覆盖所述侧部膜层的顶面；所述顶部膜层和侧部膜层均由第一介质薄膜层和第二介质薄膜层交替沉积得到；所述本体由下至上依次包括基底层、n-GaN层、量子阱层、p-GaN层，所述顶部膜层位于所述p-GaN层的上方，所述侧部膜层覆盖n-GaN层、量子阱层和p-GaN层的侧面；制备所述顶部膜层和侧部膜层：确定第一介质薄膜层和第二介质薄膜层的材质、初始单层厚度以及顶部膜层和侧部膜层的初始层数；对初始单层厚度以及初始层数进行优化，并得到最优单层厚度以及层数；根据最优单层厚度以及层数在所述本体上进行镀膜，得到所述具有全包式DBR结构的微型发光二极管；其中，所述优化包括如下步骤：应用FDTD仿真，执行粒子群算法，得到优化后的单层厚度以及层数；基于优化后的单层厚度以及层数，从0°到30°遍历角度范围，计算每层薄膜层的相位延迟；定义第一介质薄膜层和第二介质薄膜层的传输矩阵： 式中，δ1、δ2分别为平面波通过两种介质薄膜层一次上下表面的位相变化；η1、η2分别为光线在两种介质薄膜层中传播时遇到的相位延迟；定义DBR结构的传输矩阵：M＝M1*M2N；式中N为周期；A＝M1,1；B＝M1,2；C＝M2,1；D＝M2,2基于DBR结构的传输矩阵，根据如下公式计算透过率： R＝r*r*；T＝1-R式中，r为膜系的反射系数，r*为r的共轭复数，R为反射率，T为透射率；η0、ηG分别表示光线在第0层和G层介质中传播时遇到的相位延迟；计算特定角度范围内透过率与全部角度范围透过率的比值；根据透过率比值的结果，确定最优的单层厚度以及层数。

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