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龙图腾网恭喜晋能光伏技术有限责任公司申请的专利一种新型异质结电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111463306B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010373591.2，技术领域涉及：H10F10/164；该发明授权一种新型异质结电池及其制备方法是由王继磊;张娟;贾慧君设计研发完成，并于2020-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型异质结电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型异质结电池，包括：硅层衬底、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层，依次设置在所述第一本征非晶硅层正面的第一掺杂层、第一TCO层和第一金属栅线；所述第一掺杂层包括重掺层和浅掺层，所述重掺层与所述浅掺层交替设置于所述第一本征非晶硅层的正面；所述重掺层为重掺n型非晶硅层，所述浅掺层包括浅掺n型非晶硅层和设置于所述浅掺n型非晶硅层的第一氮化硅层；以及依次设置在所述第二本征非晶硅层背面的第二掺杂层、第二TCO层和第二金属栅线；所述第二掺杂层为掺杂p型非晶硅层。因此采用本发明结构制备的异质结结构电池，不仅可以提高异质结电池性能，还能大幅度降低异质结电池的制造成本。

本发明授权一种新型异质结电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型异质结电池，其特征在于，包括：硅层衬底、设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层以及设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层，还包括：依次设置在所述第一本征非晶硅层正面的第一掺杂层、第一TCO层和第一金属栅线；所述第一掺杂层包括浅掺层，且所述浅掺层包括浅掺n型非晶硅层；以及依次设置在所述第二本征非晶硅层背面的第二掺杂层、第二TCO层和第二金属栅线；所述第二掺杂层包括掺杂p型非晶硅层；所述第一掺杂层还包括：重掺层；所述重掺层和所述浅掺层交替设置在所述第一本征非晶硅层的正面，且均与所述第一本征非晶硅层相接触；且所述重掺层为重掺n型非晶硅层；所述浅掺层还包括：第一氮化硅层，所述第一氮化硅层设置在所述浅掺n型非晶硅层的正面；所述第二掺杂层还包括：第二氮化硅层，所述掺杂p型非晶硅层和所述第二氮化硅层交替设置于所述第二本征非晶硅层的背面，且均与所述第二本征非晶硅层相接触。

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