恭喜长鑫存储技术有限公司吴秉桓获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利晶圆及其制作方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151439B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-05-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910579219.4，技术领域涉及：H01L21/764；该发明授权晶圆及其制作方法、半导体器件是由吴秉桓设计研发完成，并于2019-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆及其制作方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本公开是关于一种晶圆及其制作方法、半导体器件，所述晶圆制作方法包括：提供晶圆本体，所述晶圆本体上设置有用于切割的切割道；在所述切割道的侧部形成止裂硅通孔，所述硅通孔内填充有保护材料。通过在切割道两侧设置填充有保护材料的止裂硅通孔，在进行晶圆切割时，防止切割应力对晶粒区造成破坏，通过止裂硅通孔能够有效地减小切割道的宽度，有利于切割道的微缩，提高晶圆的有效利用率。
本发明授权晶圆及其制作方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种晶圆制作方法，其特征在于，所述晶圆制作方法包括：提供堆叠设置的第一晶圆本体和第二晶圆本体，堆叠后的所述第一晶圆本体和所述第二晶圆本体表面上设置有用于切割的切割道；在所述切割道的侧部形成止裂硅通孔，所述硅通孔内填充有保护材料，其中，在所述切割道的侧部形成止裂硅通孔，包括：沿所述切割道的侧部在所述第一晶圆本体中形成第一止裂硅通孔，所述第一止裂硅通孔暴露出所述第二晶圆本体；在所述第一止裂硅通孔内填充保护材料；沿所述切割道的侧部在所述第二晶圆本体上与所述第一止裂硅通孔对应的位置中形成第二止裂硅通孔，所述第二止裂硅通孔暴露出所述第一止裂硅通孔；在所述第二止裂硅通孔内填充所述保护材料；所述第一止裂硅通孔和所述第二止裂硅通孔组成所述止裂硅通孔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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