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龙图腾网获悉睿创微电子(烟台)有限公司申请的专利一种像元结构及其制作方法、非制冷红外偏振探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119349498B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411884245.5，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权一种像元结构及其制作方法、非制冷红外偏振探测器是由刘天德;史杰;董珊设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种像元结构及其制作方法、非制冷红外偏振探测器在说明书摘要公布了：本发明涉及红外成像领域，公开了一种像元结构及其制作方法、非制冷红外偏振探测器，包括：像元阵列、封装结构和光学隔离体；所述像元阵列包括多个像元，所述封装结构位于所述像元的上方并对所述像元进行封装；所述封装结构包括封装基体层和微偏振片结构层，所述封装基体层与所述像元连接，所述微偏振片结构层位于所述封装基体层的上表面；所述微偏振片结构层具有纳米线栅结构；所述光学隔离体位于相邻两个所述像元之间。本发明在相邻像元之间设有光学隔离体，可有效减小甚至消除相邻像元之间的光学串扰，有效提高偏振探测器的消光比，从而获得更高的偏振探测精度。

本发明授权一种像元结构及其制作方法、非制冷红外偏振探测器在权利要求书中公布了：1.一种非制冷红外偏振探测器的像元结构，其特征在于，包括：像元阵列、封装结构和光学隔离体（11）；所述像元阵列包括多个像元，所述封装结构位于所述像元的上方并对所述像元进行封装；所述封装结构包括封装基体层（6）和微偏振片结构层（7），所述封装基体层（6）与所述像元连接，所述微偏振片结构层（7）位于所述封装基体层（6）的上表面；所述微偏振片结构层（7）具有纳米线栅结构；所述光学隔离体（11）位于相邻两个所述像元之间；多个像元形成一个像元组，所述封装结构对每个所述像元组进行封装，所述像元组包括的像元的数量为四或六的整数倍；所述光学隔离体（11）位于每个像元的四周，所述光学隔离体（11）包括第一隔离单元体和第二隔离单元体；所述像元包括微桥结构（5），所述微桥结构（5）的桥墩包括微桥支撑柱（16），所述封装结构还包括封装支撑柱（17），所述封装支撑柱（17）位于所述微桥支撑柱（16）的正上方，且在所述桥墩的上表面和封装基体层（6）之间；所述第一隔离单元体位于所述微桥支撑柱（16）的外侧，且与微桥支撑柱（16）上表面齐平；所述第二隔离单元体位于所述封装支撑柱（17）的外侧，且与所述封装支撑柱（17）上表面齐平。

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