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长江先进存储产业创新中心有限责任公司刘峻获国家专利权

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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利相变存储器及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114512598B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210031725.1,技术领域涉及:H10N70/20;该发明授权相变存储器及其制作方法是由刘峻设计研发完成,并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

相变存储器及其制作方法在说明书摘要公布了:本公开实施例公开了一种相变存储器及相变存储器的制作方法,相变存储器的制作方法包括:在衬底上依次形成层叠的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层、第二功能层、第三电极层;在衬底的第一区域上形成贯穿第三电极层至第一导电层的第一隔离结构;其中,第一隔离结构沿平行于衬底的第一方向延伸;第一隔离结构将第一电极层分割成第一电极条;在第三电极层上形成第一牺牲层;形成贯穿第一牺牲层至第一电极条的第二隔离结构;其中,第二隔离结构沿垂直于第一方向的第二方向延伸;第二隔离结构将第一牺牲层分割成第一牺牲条;所述第一牺牲条,形成第一沟槽;在第一沟槽中形成第二地址线。

本发明授权相变存储器及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种相变存储器的制作方法,其特征在于,包括:在衬底上依次形成层叠的第一导电层、第一电极层、第一功能层、第二电极层、第二功能层、第三电极层;在所述衬底的第一区域上形成贯穿所述第三电极层至所述第一导电层的第一隔离结构;其中,所述第一隔离结构沿平行于所述衬底的第一方向延伸;所述第一隔离结构将所述第一电极层分割成第一电极条;在所述第三电极层上形成第一牺牲层;形成贯穿所述第一牺牲层至所述第一电极条的第二隔离结构;其中,所述第二隔离结构沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸;所述第二隔离结构将所述第一牺牲层分割成第一牺牲条;去除所述第一牺牲条,形成第一沟槽;在所述第一沟槽中形成第二地址线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长江先进存储产业创新中心有限责任公司,其通讯地址为:430014 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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