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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利图像传感器及其信号读出方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116437229B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111641375.2，技术领域涉及：H04N25/58；该发明授权图像传感器及其信号读出方法是由李晓兴;侯金剑;任冠京;莫要武设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本图像传感器及其信号读出方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种图像传感器，包括像素电路及控制电路；像素电路包括增益控制单元、高增益存储控制单元和低增益存储控制单元，增益控制单元接收增益控制信号，使像素电路工作于不同转换增益模式下；高增益存储控制单元和低增益存储控制单元并联设置且均连接至浮动扩散点；高增益存储控制单元用于分别存储所述高转换增益模式下的高增益复位电压信号和高增益图像电压信号，低增益存储控制单元用于分别存储所述低转换增益模式下的低增益复位电压信号和低增益图像电压信号；控制电路至少用于向像素电路提供像素电路控制信号，像素电路控制信号包括所述增益控制信号。通过本发明提供的图像传感器，解决了现有图像传感器存在动态范围低的问题。

本发明授权图像传感器及其信号读出方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，包括像素电路及控制电路；其中，所述像素电路至少包括增益控制单元、高增益存储控制单元和低增益存储控制单元：所述增益控制单元接收增益控制信号，使所述像素电路工作于不同转换增益模式下，所述不同转换增益模式包括高转换增益模式及低转换增益模式；所述高增益存储控制单元和所述低增益存储控制单元并联设置且均连接至浮动扩散点；其中，所述高增益存储控制单元用于分别存储所述高转换增益模式下的高增益复位电压信号和高增益图像电压信号，所述低增益存储控制单元用于分别存储所述低转换增益模式下的低增益复位电压信号和低增益图像电压信号，所述高增益存储控制单元和所述低增益存储控制单元对应相同或不同的列线，以分别实现信号的串行输出或者并行输出；所述控制电路至少用于向所述像素电路提供像素电路控制信号，所述像素电路控制信号包括所述增益控制信号；其中，所述高增益存储控制单元包括第一高增益控制晶体管、第二高增益控制晶体管、第三高增益控制晶体管、第一电容及第二电容，所述第一高增益控制晶体管和所述第二高增益控制晶体管的第一连接端耦接至所述浮动扩散点，所述第一高增益控制晶体管的栅端接入第一高增益控制信号，第二连接端连接所述第三高增益控制晶体管的第一连接端并通过所述第一电容接第三参考电位，所述第二高增益控制晶体管的栅端接入第二高增益控制信号，第二连接端通过所述第二电容接第四参考电位，所述第三高增益控制晶体管的栅端接入第三高增益控制信号，第二连接端通过所述第二电容接所述第四参考电位；和或，所述低增益存储控制单元包括第一低增益控制晶体管、第二低增益控制晶体管、第三低增益控制晶体管、第三电容及第四电容，所述第一低增益控制晶体管和所述第二低增益控制晶体管的第一连接端耦接至所述浮动扩散点，所述第一低增益控制晶体管的栅端接入第一低增益控制信号，第二连接端连接所述第三低增益控制晶体管的第一连接端并通过所述第三电容接第五参考电位，所述第二低增益控制晶体管的栅端接入第二低增益控制信号，第二连接端通过所述第四电容接第六参考电位，所述第三低增益控制晶体管的栅端接入第三低增益控制信号，第二连接端通过所述第四电容接所述第六参考电位。

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