桑迪士克科技有限责任公司姬忠礼获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利单一化半导体裸芯的方法以及由其形成的单一化的裸芯获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111430303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910019750.6，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权单一化半导体裸芯的方法以及由其形成的单一化的裸芯是由姬忠礼;叶宁;张彤;H.塔基尔;刘扬名设计研发完成，并于2019-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本单一化半导体裸芯的方法以及由其形成的单一化的裸芯在说明书摘要公布了：通过牺牲接合材料层将基板半导体层附接到载体基板。连续材料层内包含的多个半导体裸芯形成在基板半导体层的前侧上。连续材料层中的每一个在多个半导体裸芯的区域之上连续地延伸。通过各向异性地蚀刻连续材料层的位于半导体裸芯的相邻对之间的部分，在多个半导体裸芯之中的相邻对之间形成多个分切通道。多个分切通道延伸到牺牲接合材料层的顶表面。使用各向同性蚀刻工艺，对多个半导体裸芯的表面部分的材料有选择性地移除牺牲接合材料层。一经移除牺牲接合材料层，多个半导体裸芯彼此之间单一化。
本发明授权单一化半导体裸芯的方法以及由其形成的单一化的裸芯在权利要求书中公布了：1.一种形成单一化的半导体裸芯的方法，包括： 在载体基板的前侧表面上形成牺牲接合材料层； 将基板半导体层附接到所述牺牲接合材料层的前侧； 形成多个未单一化的半导体裸芯，所述多个未单一化的半导体裸芯被包含在所述基板半导体层的前侧上的一个或多个连续材料层内； 至少通过各向异性地蚀刻所述一个或多个连续材料层的位于所述多个未单一化的半导体裸芯的相邻对之间的一个或多个部分，形成多个分切通道，所述多个分切通道中的相应一个分切通道位于所述多个未单一化的半导体裸芯之中的所述相邻对之间，其中所述多个分切通道延伸到所述牺牲接合材料层的前表面；以及 使用各向同性蚀刻工艺，对所述多个未单一化的半导体裸芯的任意暴露的表面部分有选择性地移除所述牺牲接合材料层，其中在移除所述牺牲接合材料层以形成多个单一化的半导体裸芯时，所述多个未单一化的半导体裸芯彼此之间单一化。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人桑迪士克科技有限责任公司，其通讯地址为：美国得克萨斯州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号