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龙图腾网获悉张郡珂申请的专利低噪声放大器及信号接收电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114124002B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010885114.4，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权低噪声放大器及信号接收电路是由张郡珂设计研发完成，并于2020-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本低噪声放大器及信号接收电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低噪声放大器及信号接收电路，低噪声放大器包括偏置电流产生电路、第一跨导放大器、第二跨导放大器和低通滤波器，低通滤波器的输入端连接第一跨导放大器的输出端，第二跨导放大器的滤波输入端连接低通滤波器的输出端，第二跨导放大器的输出端连接第一跨导放大器的反馈输入端，偏置电流产生电路为第一跨导放大器、第二跨导放大器提供偏置电流；信号接收电路包括依次电连接的输入电路、低噪声放大器、缓冲电路、次级电路。本发明的低噪声放大器具有低功耗、高电源抑制比、输出轨到轨等特性，而且增益不随工艺、电源电压和温度变化的优点；具有该低噪声放大器的信号接收电路，用于接收机时可有效提升接收机的感应范围。

本发明授权低噪声放大器及信号接收电路在权利要求书中公布了：1.一种低噪声放大器，用于将输入电路提供的输入模拟信号放大，其特征在于，包括偏置电流产生电路、第一跨导放大器、第二跨导放大器和低通滤波器，所述第一跨导放大器的输入端连接输入模拟信号，所述低通滤波器的输入端连接第一跨导放大器的输出端，所述第二跨导放大器的滤波输入端连接低通滤波器的输出端，第二跨导放大器的输出端连接第一跨导放大器的反馈输入端，所述偏置电流产生电路的输出端分别连接第一跨导放大器、第二跨导放大器，偏置电流产生电路为第一跨导放大器、第二跨导放大器提供偏置电流；所述偏置电流产生电路包括偏置电阻RB、MOS管T1、MOS管T2、MOS管T3、MOS管T4、MOS管T5和MOS管T6，MOS管T2的源极、MOS管T6的源极连接第二电源，MOS管T1的栅极、MOS管T2的漏极相连，MOS管T2的栅极、MOS管T4的漏极相连，MOS管T1的漏极、MOS管T3的漏极、MOS管T3的栅极、MOS管T4的栅极、MOS管T5的栅极相连，MOS管T3的源极、MOS管T4的源极、MOS管T5的源极均连接第一电源；所述偏置电阻RB在偏置电流产生电路中的连接使MOS管T1的跨导只与偏置电阻RB的倒数有关，连接形式为：偏置电阻RB的一端连接MOS管T1的源极，偏置电阻RB的另一端连接第二电源，MOS管T1的栅极、MOS管T2的栅极相连；或者，偏置电阻RB的一端连接MOS管T1的栅极，偏置电阻RB的另一端连接MOS管T2的栅极，MOS管T1的源极连接第二电源；所述第一跨导放大器包括MOS管T7、MOS管T8、MOS管T10、MOS管T11、MOS管T12和MOS管T13，MOS管T12的源极连接输入电路的信号输出端，MOS管T7的栅极、MOS管T8的栅极均与MOS管T3的栅极相连，MOS管T7的漏极、MOS管T10的漏极、MOS管T12的栅极、MOS管T13的栅极相连，MOS管T7的源极、MOS管T8的源极均连接第一电源，MOS管T13的源极连接第二电源，MOS管T8的漏极与MOS管T11的漏极相连形成输出端，MOS管T11的源极与MOS管T13的漏极相连形成第一反馈端Vp，MOS管T10的源极与MOS管T12的漏极相连形成第二反馈端Vn，第一反馈端Vp与第二反馈端Vn构成第一跨导放大器的反馈输入端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人张郡珂，其通讯地址为：650000 云南省昆明市寻甸回族彝族自治县仁德镇北屏路1号2栋2单元501；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。