半导体元件工业有限责任公司克里夫·德劳利获国家专利权
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龙图腾网获悉半导体元件工业有限责任公司申请的专利用于制造垂直型基于鳍片的场效应晶体管的方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289847B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010713496.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权用于制造垂直型基于鳍片的场效应晶体管的方法和系统是由克里夫·德劳利;雷·米拉诺;苏巴什·皮达帕蒂;安德鲁·P·爱德华兹;崔浩;沙欣·谢里夫扎德设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造垂直型基于鳍片的场效应晶体管的方法和系统在说明书摘要公布了：一种晶体管，包括：衬底，其具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；漂移区，其具有在衬底的第一表面上的掺杂区以及在掺杂区上的渐变掺杂区；半导体鳍片，其从渐变掺杂区突出，并且在所述半导体鳍片的上部分处包括金属化合物层；在所述金属化合物层上的源极金属接触；栅极层，其具有与渐变掺杂区直接地接触的底部部分；以及在衬底的第二表面上的漏极金属接触。
本发明授权用于制造垂直型基于鳍片的场效应晶体管的方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，包括：衬底，其具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；漂移区，其具有在所述衬底的所述第一表面上的掺杂区以及在所述掺杂区上的渐变掺杂区；半导体鳍片，其包括下部分和上部分，其中所述下部分从所述渐变掺杂区突出且包含所述渐变掺杂区的部分，并且其中金属化合物层布置在所述半导体鳍片的所述上部分中；源极金属接触，其在所述半导体鳍片的所述上部分上；栅极层，其具有与所述渐变掺杂区直接地接触的底部部分；以及漏极金属接触，其在所述衬底的所述第二表面上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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