株式会社半导体能源研究所长塚修平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113330554B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980089912.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储装置是由长塚修平;大贯达也;加藤清;山崎舜平设计研发完成，并于2019-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储装置在说明书摘要公布了：提供一种新颖的存储装置。在驱动电路层上层叠N个N是2以上的自然数包括配置为矩阵状的多个存储单元的存储层。存储单元包括两个晶体管以及一个电容器。将氧化物半导体用于构成晶体管的半导体。存储单元与写入字线、选择线、电容线、写入位线及读出位线电连接。通过将写入位线及读出位线延伸在层叠方向上，缩短存储单元与驱动电路层之间的信号传输距离。
本发明授权存储装置在权利要求书中公布了：1.一种存储装置，包括：N个存储层；驱动电路层；多个第一布线；以及多个第二布线，其中，N是2以上的自然数，所述N个存储层层叠在所述驱动电路层上，所述驱动电路层包括多个第一电路，所述多个第一布线在所述N个存储层的层叠方向上延伸并设置为P行R列的矩阵状，其中P及R各自是2以上的自然数，所述多个第二布线在所述层叠方向上延伸并设置为P行Q列的矩阵状，其中Q是2以上的自然数，所述N个存储层各自包括：设置为P行Q列的矩阵状的多个存储单元；Q列的第三布线；Q列的第四布线；以及Q列的第五布线，在第k层的所述存储层中，第i行第2×s-1列的存储单元和第i行第2×s列的存储单元与第i行第s列的第一布线电连接，并且所述第i行第2×s-1列的存储单元与第i行第2×s-1列的第二布线、第2×s-1列的第三布线、第2×s-1列的第四布线及第2×s-1列的第五布线电连接，并且，所述第i行第s列的所述第一布线和所述第i行第2×s-1列的所述第二布线与所述多个第一电路中的一个电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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