买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉英飞凌科技德累斯顿公司申请的专利横向超结晶体管器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111092115B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911010453.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权横向超结晶体管器件及其制造方法是由R·魏斯;A·马哈茂德设计研发完成，并于2019-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本横向超结晶体管器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了晶体管布置和方法。晶体管布置包括：第一掺杂类型的多个第一半导体区域11以及第二掺杂类型的多个第二半导体区域12，其中，第一半导体区域11和第二半导体区域12沿半导体主体100的竖直方向z交替布置；与多个第一半导体区域11毗连的源极区13；与多个第二半导体区域120毗连并且被布置为沿第一横向方向x与源极区13隔开的漏极区15；以及多个栅极区14，其中，多个栅极区14的每者与多个第二半导体区域12中的至少一个毗连，并且被布置在源极区13和漏极区15之间。第一半导体区域和第二半导体区域11、12中的至少一个但不是第一半导体区域和第二半导体区域11、12的每者具有沿第一横向方向x变化的掺杂剂量。

本发明授权横向超结晶体管器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管布置，包括：第一掺杂类型的多个第一半导体区域以及第二掺杂类型的多个第二半导体区域，其中，所述第一半导体区域和所述第二半导体区域沿半导体主体的竖直方向交替布置；源极区，与所述多个第一半导体区域毗连；漏极区，与所述多个第二半导体区域毗连并且被布置为沿第一横向方向与所述源极区隔开；以及多个栅极区，所述多个栅极区的每者与所述多个第二半导体区域中的至少一个毗连，并且被布置在所述源极区和所述漏极区之间，其中，所述第一半导体区域和所述第二半导体区域中的至少一个具有沿所述第一横向方向变化的掺杂剂量，并且其中，其余的所述第一半导体区域和所述第二半导体区域均具有基本上均匀的掺杂剂量，其中，所述第一半导体区域和所述第二半导体区域中的所述至少一个的所述掺杂剂量使得所述掺杂剂量在所述栅极区和第一位置之间具有基本上恒定的第一值，并且在所述第一位置和所述漏极区之间具有不同于所述第一值的基本上恒定的第二值，其中，相对于接近所述漏极区，所述第一位置更接近所述栅极区。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英飞凌科技德累斯顿公司，其通讯地址为：德国德累斯顿；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。