恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112349701B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910724774.1，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体基板及其制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2019-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体基板及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括功能区及测量区；采用相同工艺步骤在所述衬底的功能区形成至少一功能膜层，在所述测量区形成至少一测量膜层，在俯视方向上，所述测量膜层被划分为至少一测量单元，所述测量单元的形状为多边形，所述多边形的内角大于90度。本发明在制备半导体基板的工艺中，在测量区域形成多边形的测量单元，该形状的测量单元的受力力矩小，不易脱落，不会成为缺陷源，从而避免测量单元影响制程质量以及半导体基板的最终良率；同时，多边形的测量单元的应力分布相对更均匀，结构更加稳定。
本发明授权半导体基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括功能区及测量区；采用相同工艺步骤在所述衬底的功能区形成至少一功能膜层，在所述测量区形成至少一测量膜层，所述功能膜层及所述测量膜层既采用同一工艺步骤沉积形成，也采用同一步骤进行光刻及蚀刻；在俯视方向上，所述测量膜层被划分为至少一测量单元，所述测量单元的形状为正八边形，所述正八边形的内角为135度；所述测量单元具有顶层，上下相邻的所述测量单元的所述顶层之间具有绝缘层；在进行所述蚀刻后，所述绝缘层的刻蚀深度为L，所述绝缘层的转角处至所述顶层的转角处的距离为ΔL2，所述ΔL2＝1.08L。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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