合肥晶合集成电路股份有限公司何定红获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510265449.9，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由何定红;谢荣源;葛成海;熊鹏宇设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括：衬底，衬底中设置器件沟槽；场氧层，设置在器件沟槽的槽壁上，场氧层具有阶梯结构，且沿着远离衬底的第一表面的方向，阶梯结构的宽度减小，其中第一表面为衬底形成器件沟槽的表面；漂移区，设置在衬底中，漂移区连接场氧层，且漂移区包裹在场氧层外部，其中沿着远离衬底的第一表面的方向，漂移区的宽度减小，且漂移区的离子掺杂浓度降低；以及多晶硅层，填充在器件沟槽中，且多晶硅层连接于场氧层。本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，能够有效提升器件耐压性能，缩小器件尺寸，降低器件导通电阻，双向优化器件耐压能力和导通电阻的关系。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中设置器件沟槽；场氧层，设置在所述器件沟槽的槽壁上，所述场氧层具有阶梯结构，且沿着远离所述衬底的第一表面的方向，所述阶梯结构的宽度减小，其中所述第一表面为所述衬底形成所述器件沟槽的表面；漂移区，设置在所述衬底中，所述漂移区连接所述场氧层，且所述漂移区包裹在所述场氧层外部，其中沿着远离所述衬底的第一表面的方向，所述漂移区的宽度减小，且所述漂移区的离子掺杂浓度降低；以及多晶硅层，填充在所述器件沟槽中，且所述多晶硅层连接于所述场氧层。
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