润新微电子(大连)有限公司刘伟获国家专利权
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龙图腾网获悉润新微电子(大连)有限公司申请的专利一种含多电势场板结构的器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451197B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510024821.7，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一种含多电势场板结构的器件及其制备方法是由刘伟;任永硕;王荣华;梁辉南;董莉;徐玲锐设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种含多电势场板结构的器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含多电势场板结构的器件及其制备方法，方法包括如下步骤：制备基础结构并在基础结构的第二介质层上进行刻蚀，形成栅电极孔；在栅电极孔中沉积n层金属并刻蚀，以形成n层场板金属；n层场板金属中，每层场板金属的热膨胀系数由第n层向第二层逐渐增大；对第一层场板金属的端部进行刻蚀；对n层场板金属进行退火处理，使第n层至第二层的场板金属的端部向远离第二介质层的方向翘曲；在第二介质层上生长第三介质层并刻蚀掉多余的第三介质层以形成场板，得到器件。本发明的制备方法，工艺简化的同时，制备得到含有多电势场板结构的器件，可有效控制场板与下方二维电子气之间的电势差。
本发明授权一种含多电势场板结构的器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含多电势场板结构的器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 制备基础结构并对基础结构的第二介质层进行刻蚀，形成栅电极孔； 在所述栅电极孔中沉积n层金属并刻蚀，以形成n层场板金属，所述n为大于或等于3的正整数；n层所述场板金属中，每层场板金属的热膨胀系数由第n层向第二层逐渐增大； 对第一层场板金属的端部进行刻蚀，使得第一层场板金属相对于第n层至第二层的场板金属向内凹陷，从而形成第一缺口； 对n层场板金属进行退火处理，使第n层至第二层的场板金属的位于所述第一缺口上方的端部向远离第二介质层的方向翘曲； 在所述第二介质层上生长第三介质层，所述第一缺口中以及翘曲部分下方也形成了第三介质层，并刻蚀掉多余的第三介质层以形成场板，得到所述含多电势场板结构的器件。
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