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龙图腾网获悉苏州冠礼科技有限公司申请的专利一种基于半导体加工的蚀刻设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673819B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411757358.9，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种基于半导体加工的蚀刻设备是由黄自柯;李晓华;丁剑;蒋辉;江浩平设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于半导体加工的蚀刻设备在说明书摘要公布了：本发明属于半导体加工技术领域，且公开了一种基于半导体加工的蚀刻设备，包括支撑箱、处理箱和刻蚀箱，所述支撑箱的左侧安装有回收管，所述回收管的一端与处理箱连通，所述刻蚀箱安装于支撑箱的顶部，所述支撑箱的内腔安装有储液箱，并与所述处理箱连通，所述储液箱的右侧安装有泵，所述泵的排水端固定连接有连通管。本装置通过伸缩杆带动密封板二收缩移动，打开回收口，使经过消耗反应的刻蚀废液及时排出，从而使隔离室中的刻蚀液能够多次换新，且每次换新都会冲洗掉晶圆表面的反应物残留，该设计不仅及时维持了隔离室中pH值的稳定，还降低了隔离室中刻蚀液已经消耗产生的反应物浓度，提高了反应速率。

本发明授权一种基于半导体加工的蚀刻设备在权利要求书中公布了：1.一种基于半导体加工的蚀刻设备，包括支撑箱1、处理箱2和刻蚀箱3，所述支撑箱1的左侧安装有回收管23，所述回收管23的一端与处理箱2连通，所述刻蚀箱3安装于支撑箱1的顶部，其特征在于：所述支撑箱1的内腔安装有储液箱22，并与所述处理箱2连通，所述储液箱22的右侧安装有泵4，所述泵4的排水端固定连接有连通管5，所述连通管5的一端与刻蚀箱3连通，所述刻蚀箱3的顶部开设有刻蚀槽6，所述刻蚀槽6的内壁水平等距开设有多组放置槽7，所述放置槽7的内部放置有晶圆8，所述刻蚀槽6的底部开设有多组呈水平等距分布的过液口14和排液槽21，所述过液口14与放置槽7相互交错，所述刻蚀箱3的内部开设有位于过液口14下方的中转腔15，所述中转腔15与过液口14连通，所述中转腔15的内壁安装有加热器16，所述刻蚀槽6的内壁固定安装有多组隔离板9，所述隔离板9连通设置于过液口14的顶部，所述隔离板9朝向晶圆8的一侧开设有多组排液口10，所述隔离板9的内壁密封卡接有密封板一12，所述密封板一12的侧面开设有多组进液槽13，所述排液口10与进液槽13呈上下交互交错分布，所述刻蚀箱3的右侧开设有与中转腔15连通的补充口17，所述加热器16内壁的右侧弹性连接有弹簧二20，所述弹簧二20的一端弹性连接有连接块18，所述连接块18的右侧固定连接有密封块19，所述密封块19适配抵接于补充口17中。

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