金阳(泉州)新能源科技有限公司林楷睿获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510353015.4，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件是由林楷睿;许志设计研发完成，并于2025-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件在说明书摘要公布了：本发明属于太阳电池技术领域，具体涉及一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件，该背接触太阳电池中通过在钝化层上的氮化硅层上设置掺碳氮化硅层，由于掺碳氮化硅膜层具有较强的耐酸性能，在制绒清洗溶液中，既不能被强碱腐蚀，又不易被强酸腐蚀，降低膜层在HF酸中的腐蚀速率，这样既有利于后续膜层在溶液中的耐腐蚀性能，保持制程的稳定性和一致性，提高生产良率，同时通过设置叠层减反层所包括的氮化硅层和掺碳氮化硅层由内到外的折射率依次减小，有利于保持电池正面减反层的光学效果，提高光学性能。
本发明授权一种背接触太阳电池及其制备方法、电池组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳电池，其特征在于，包括： 具有正面和背面的硅片； 第一半导体层，布置在所述硅片的背面，所述第一半导体层包括依次形成于所述硅片背面的隧穿氧化硅层与N型掺杂多晶硅层；第一半导体层被多个第二半导体开口区隔断，所述第二半导体开口区以及所述第二半导体开口区周边的第一半导体层表面均覆盖有第二半导体层；相邻的所述第二半导体开口区之间设有第一半导体开口区，所述第一半导体开口区将所述第二半导体层隔断； 钝化层和叠层减反层，所述钝化层和所述叠层减反层依次布置在所述硅片的正面；其中，所述叠层减反层包括氮化硅层和掺碳氮化硅层，所述氮化硅层相对于所述掺碳氮化硅层更靠近所述钝化层；所述叠层减反层的总厚度为80~130nm，其中所述氮化硅层的厚度为50~120nm，折射率为1.9~2.2；所述掺碳氮化硅层的厚度为1~50nm，折射率为1.7~1.9； 所述掺碳氮化硅层从靠近所述硅片一侧向远离所述硅片一侧的方向上的掺碳浓度逐渐增加，且掺碳浓度由低至高为1×1018~9×1019cm-3。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人金阳(泉州)新能源科技有限公司，其通讯地址为：362000 福建省泉州市鲤城区海滨街道笋浯社区浯江路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号