横店集团东磁股份有限公司吴成坤获国家专利权
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龙图腾网获悉横店集团东磁股份有限公司申请的专利一种两端式全硅基双结太阳能电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119866066B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510348080.8，技术领域涉及：H10F10/142；该发明授权一种两端式全硅基双结太阳能电池及制备方法是由吴成坤;任勇;陈德爽设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种两端式全硅基双结太阳能电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种两端式全硅基双结太阳能电池及制备方法。该两端式全硅基双结太阳能电池包括：N型硅基底，依次设于N型硅基底正面的金字塔绒面、钝化减反膜，设于N型硅基底背面的正极区和负极区；正极区包括依次设于N型硅基底背面的内硼扩散层、磷扩散层、外硼扩散层和钝化减反膜，以及设于外硼扩散层表面的正极；负极区包括设于N型硅基底背面的钝化减反膜，以及设于N型硅基底背面的负极。本发明首创性地设计了一种两端式全硅基双结叠层电池，可有效解决常规叠层电池稳定较差的问题。此外，本发明通过巧妙的结构设计将电极全部设计于电池背面，可有效减少遮光损伤，有利于提升电池性能。
本发明授权一种两端式全硅基双结太阳能电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种两端式全硅基双结太阳能电池，其特征在于包括： N型硅基底，依次设于N型硅基底正面的金字塔绒面、钝化减反膜，以及设于N型硅基底背面的正极区和负极区；其中： 正极区包括依次设于N型硅基底背面的内硼扩散层、磷扩散层、外硼扩散层和钝化减反膜，以及设于外硼扩散层表面的正极； 负极区包括设于N型硅基底背面的钝化减反膜，以及设于N型硅基底背面的负极； 内硼扩散层中硼浓度低于磷扩散层中磷浓度，磷扩散层中磷浓度低于外硼扩散层中硼浓度。
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