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龙图腾网获悉上海川土微电子有限公司申请的专利一种芯片及其内部eFuse烧写电源提供电路和烧写方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119851730B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510331240.8，技术领域涉及：G11C17/18；该发明授权一种芯片及其内部eFuse烧写电源提供电路和烧写方法是由郝允强;陈东坡设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片及其内部eFuse烧写电源提供电路和烧写方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种芯片及其内部eFuse烧写电源提供电路和烧写方法，应用于集成电路及电子熔丝（eFuse）技术领域，其中在eFuse烧写电源端与芯片电源端之间增设一个受控的开关电路，以及在eFuse烧写电源端与被复用的低压IO口之间增设另一个受控的开关电路，从而通过受控的两个开关电路的导通或关断，利用芯片外部的高压电源和工作电源相应地为eFuse提供烧写电源或工作电源，既可以不用过多占用芯片引脚的情况下，又能够消耗非常小的芯片面积，以低成本方式提供芯片内部eFuse烧写所需的高压电源和工作电源，非常适合在各类含有eFuse的芯片中推广应用。

本发明授权一种芯片及其内部eFuse烧写电源提供电路和烧写方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片内部eFuse烧写电源提供电路，其特征在于，包括：低压IO口、第一开关电路和第二开关电路；第一开关电路串接在低压IO口与烧写电源端口之间，第二开关电路串接在芯片电源端与烧写电源端口之间；其中，烧写电源端口是芯片内为eFuse提供电源的端口；低压IO口用于在芯片内部eFuse需要烧写时接入高压电源，在芯片内部eFuse不需要烧写时作为芯片的IO；第一开关电路用于在第一信号的控制下导通或关断以连通或断开低压IO口与烧写电源端口之间的连接，第二开关电路用于在第二信号的控制下导通或关断以连通或断开芯片电源端与烧写电源端口之间的连接，其中在芯片内部eFuse需要烧写时，第一信号控制第一开关电路导通，第二信号控制第二开关电路断开，以使连接到低压IO口的高压电源输入至烧写电源端为eFuse提供烧写所需电压，以及在芯片eFuse不需要烧写时，第一信号控制第一开关电路关断，第二信号控制第二开关电路导通，以使芯片电源端的电压输入至烧写电源端为eFuse提供正常工作所需电压； 第一开关电路包括第一MOS管，第一MOS管的栅极输入第一信号，第一MOS管的漏极连接低压IO口，第一MOS管的源极连接烧写电源端；和或，第二开关电路包括第二MOS管，第二MOS管的栅极输入第二信号，第二MOS管的漏极连接芯片电源端，第二MOS管的源极连接烧写电源端； 第一开关电路还包括第四MOS管和第一电阻，其中第一MOS管的栅极输入第一信号，第一MOS管的漏极与第四MOS管的栅极连接，第一MOS管的源极接地，第四MOS管的漏极连接低压IO口，第四MOS管的源极连接烧写电源端，第一电阻跨接在第四MOS管的栅极和源极之间；和或，第二开关电路还包括第三MOS管和第二电阻，其中第二MOS管的栅极输入第二信号，第二MOS管的漏极与第三MOS管的栅极连接，第二MOS管的源极接地，第三MOS管的漏极连接芯片电源端，第三MOS管的源极连接烧写电源端，第二电阻跨接在第三MOS管的栅极和源极之间。

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