荣芯半导体(淮安)有限公司雷天飞获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(淮安)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法、电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411834206.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子装置是由雷天飞;秦仁刚设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法、电子装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该方法包括：提供衬底，所述衬底中形成有漂移区；在所述衬底的表面上形成第一场氧化物层；蚀刻去除部分所述第一场氧化物层，以保留所述漂移区上的部分所述第一场氧化物层；在所述衬底和所述第一场氧化物层上形成第二场氧化物层；蚀刻去除位于所述衬底上的第二场氧化物层的同时，在所述漂移区上形成具有斜坡侧壁的第三场氧化物层。本申请通过蚀刻去除部分第一场氧化物层，保留漂移区上的部分第一场氧化物层，继续沉积第二场氧化物层，并去除衬底上的第二场氧化物层，从而形成具有斜坡侧壁的场板，只需要一张掩膜版即可形成斜坡场板，简化了工艺流程，降低了工艺成本。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底中形成有漂移区； 在所述衬底的表面上形成第一场氧化物层； 蚀刻去除部分所述第一场氧化物层，以保留所述漂移区上的部分所述第一场氧化物层； 在所述衬底和所述第一场氧化物层上形成第二场氧化物层； 采用湿法蚀刻工艺蚀刻去除位于所述衬底上的部分所述第二场氧化物层的同时，在所述漂移区上形成具有斜坡侧壁的第三场氧化物层。
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