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龙图腾网恭喜株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111788698B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980016079.8，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由山崎舜平;栃林克明;方堂凉太;菅谷健太郎;山出直人设计研发完成，并于2019-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种可靠性良好的半导体装置。一种包括晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一绝缘体；第二绝缘体；第一氧化物；第二氧化物；第三氧化物；第一导电体及第二导电体；第三绝缘体；第三导电体；第四绝缘体；以及第五绝缘体。第四绝缘体及第五绝缘体中设置有到达第二氧化物的开口，以嵌入开口的方式从开口的内壁一侧依次设置有第三氧化物、第三绝缘体和第三导电体。在晶体管的沟道长度方向上，第四绝缘体与第二氧化物不重叠的区域的第四绝缘体的至少一部分与第一绝缘体接触。在晶体管的沟道宽度方向上，第三氧化物与第二氧化物不重叠的区域的第三氧化物的至少一部分与第一绝缘体接触。

本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种包括晶体管的半导体装置， 所述晶体管包括： 第一绝缘体； 所述第一绝缘体上的第二绝缘体； 所述第二绝缘体上的第一氧化物； 所述第一氧化物上的第二氧化物； 所述第二氧化物上的第三氧化物； 所述第二氧化物上的第一导电体及第二导电体； 所述第三氧化物上的第三绝缘体； 所述第三绝缘体上的第三导电体； 所述第一导电体及所述第二导电体上的第四绝缘体；以及 所述第四绝缘体上的第五绝缘体， 其中，所述第四绝缘体及所述第五绝缘体中设置有到达所述第二氧化物的开口， 所述第三氧化物以覆盖所述开口的内壁的方式设置， 所述第三绝缘体以隔着所述第三氧化物覆盖所述开口的内壁的方式设置， 所述第三导电体以隔着所述第三氧化物及所述第三绝缘体嵌入所述开口的方式设置， 在所述晶体管的沟道长度方向上，所述第四绝缘体与所述第二氧化物不重叠的区域中的所述第四绝缘体的至少一部分与所述第一绝缘体接触， 在所述晶体管的沟道宽度方向上，以所述第一绝缘体的底面高度为基准，所述第三导电体与所述第二氧化物不重叠的区域的所述第三导电体的底面高度低于所述第二氧化物的底面高度， 在所述晶体管的沟道宽度方向上，所述第三氧化物与所述第二氧化物不重叠的区域中的所述第三氧化物的至少一部分与所述第一绝缘体接触， 并且，所述第一绝缘体的氢和氧中的一方或双方的透过性比所述第二绝缘体低。

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