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龙图腾网获悉贵州雅光电子科技股份有限公司;贵州恒芯微电子科技有限公司申请的专利一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110650714.7，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件是由李铭;谢驰;王为;曾潇;李泽宏设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，包括背面金属层，第一导电类型半导体衬底，第一导电类型半导体漂移区、栅氧化层、多晶硅栅极、第一导电类型半导体重掺杂区、第二导电类型半导体体区、第一导电类型半导体重掺杂源区、正面金属层，本发明通过创造性设计栅氧化层、多晶硅栅极、第二导电类型半导体体区和第一导电类型半导体重掺杂源区结构布局，再通过设置第一导电类型半导体重掺杂区及布置，使得本发明可形成多道电流路径分布，且由于第一导电类型半导体重掺杂区，使得初始电流路径的电压更低，且稳定性高，从而大大降低了正向导通压降，提高了二极管正向过流能力，本发明工艺制备相对容易，实用性强。

本发明授权一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件在权利要求书中公布了：1.一种具有低导通压降的槽栅型超势垒整流器件，其特征在于包括： 背面金属层（1）； 第一导电类型半导体衬底（2）；所述第一导电类型半导体衬底（2）覆盖于背面金属层（1）之上； 第一导电类型半导体漂移区（3）；所述第一导电类型半导体漂移区（3）覆盖于第一导电类型半导体衬底（2）之上； 栅氧化层（4）；所述栅氧化层（4）覆盖于第一导电类型半导体漂移区（3）上部两侧的部分表面； 多晶硅栅极（5）；所述多晶硅栅极（5）覆盖于对应栅氧化层（4）之上； 第一导电类型半导体重掺杂区（8）；所述第一导电类型半导体重掺杂区（8）覆盖于第一导电类型半导体漂移区（3）之上的部分表面； 第二导电类型半导体体区（6）；所述第二导电类型半导体体区（6）覆盖于第一导电类型半导体漂移区（3）之上的部分表面，且第二导电类型半导体体区（6）位于第一导电类型半导体重掺杂区（8）两侧，该第一导电类型半导体重掺杂区（8）覆盖于第二导电类型半导体体区（6）之上的部分表面； 第一导电类型半导体重掺杂源区（7）；所述第一导电类型半导体重掺杂源区（7）覆盖于对应第二导电类型半导体体区（6）之上的部分表面； 正面金属层（9）；所述正面金属层（9）覆盖于栅氧化层（4）、多晶硅栅极（5）、第二导电类型半导体体区（6）、第一导电类型半导体重掺杂源区（7）和第一导电类型半导体重掺杂区（8）之上； 所述栅氧化层（4）与多晶硅栅极（5）为槽栅结构； 第二导电类型半导体体区（6）及多晶硅栅极（5）与第一导电类型半导体漂移区（3）在零电压时形成的耗尽层将第一导电类型半导体重掺杂区（8）完全包围。

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