三星电子株式会社田顺玉获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利有机发光器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112447918B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010841008.6,技术领域涉及:H10K50/12;该发明授权有机发光器件是由田顺玉;金仁九;孙源埻;郑妍淑;崔玹豪设计研发完成,并于2020-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本有机发光器件在说明书摘要公布了:公开了有机发光器件,其包括:第一电极;第二电极;以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的有机层,其中所述发射层包括满足以下条件1至4的第一化合物,其中ΔEST、ΔEST2和ΔE'TT如说明书中所定义的:条件1ΔESTΔEST2+ΔE'TT条件20eVΔEST2+ΔE'TT≤1.0eV条件30eVΔE'TT≤0.15eV条件4ΔEST20eV。
本发明授权有机发光器件在权利要求书中公布了:1.有机发光器件,包括: 第一电极; 第二电极;以及 设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的有机层, 其中所述发射层由主体、第一化合物和荧光掺杂剂组成, 所述第一化合物满足以下条件1至4: 条件1 ΔESTΔEST2+ΔE'TT 条件2 0eVΔEST2+ΔE'TT≤1.0eV 条件3 0eVΔE'TT≤0.15eV 条件4 ΔEST20eV 其中,在条件1至4中, ΔEST表示在对于所述第一化合物的S1平衡结构计算的最低单线态激发能级和对于所述第一化合物的T1平衡结构计算的最低三线态激发能级之间的差; ΔEST2表示在对于所述第一化合物的S1平衡结构计算的最低单线态激发能级和对于所述第一化合物的T2平衡结构计算的最低三线态激发能级之间的差;和 ΔE'TT表示在对于所述第一化合物的T2平衡结构计算的第二低单线态激发能级和对于所述第一化合物的T2平衡结构计算的最低三线态激发能级之间的差, 所述主体、所述第一化合物和所述荧光掺杂剂满足以下条件B: 条件B EHBS1ES1EFBS1 在条件B中, EHBS1表示所述主体的最低单线态激发能级; ES1表示所述第一化合物的最低单线态激发能级;和 EFBS1表示所述荧光掺杂剂的最低单线态激发能级。
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