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龙图腾网获悉苏州华太电子技术股份有限公司申请的专利一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411919943.4，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件是由张晓宇;岳丹诚;李星齐设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种GaNHEMT器件的制备方法及GaNHEMT器件。制备方法，包括如下步骤：形成第二掺杂类型的SIC材料的衬底；形成单独的沿C轴生长的第一掺杂类型的SIC外延片；在SIC外延片的正面形成第一掺杂类型的电场终止层；其中，电场终止层的掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度；在SIC外延片中位于电场终止层下方的位置形成剥离层；其中，SIC外延片中位于电场终止层和剥离层之间的部分作为电场承压层；将电场终止层的正面和衬底的正面键合在一起；在剥离层处进行剥离；衬底之上为电场终止层，电场终止层之上为电场承压层。本申请解决了传统的GaNHEMT器件的成本较高导致的技术问题。

本发明授权一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT器件的制备方法，其特征在于，包括： 形成第二掺杂类型的SIC材料的衬底10； 形成单独的沿C轴生长的第一掺杂类型的SIC外延片12-0； 在所述SIC外延片12-0的正面形成第一掺杂类型的电场终止层11；其中，所述电场终止层11的掺杂浓度大于所述衬底10的掺杂浓度； 在所述SIC外延片12-0中位于电场终止层11下方的位置形成剥离层13；其中，所述SIC外延片12-0中位于所述电场终止层11和所述剥离层13之间的部分作为电场承压层12； 将所述电场终止层11的正面和所述衬底10的正面键合在一起； 在所述剥离层13位置进行剥离；其中，所述衬底10之上依次为所述电场终止层11和所述电场承压层12； 所述衬底10为低阻的衬底； 所述电场承压层12的上表面分为电场承压层第一区域和电场承压层第二区域；制备方法还包括如下步骤： 在所述衬底10的背侧形成接地的背面接地金属32； 在电场承压层第二区域向下形成第一掺杂类型的第一连接区基础，自第一连接区基础的上表面向下通过刻蚀形成第一通孔，在第一通孔内填充第二掺杂类型的SIC形成第二掺杂类型的SIC连接区20；其中，所述第一连接区基础未被刻蚀的部分形成第一连接区21。

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