沈阳理工大学王光辉获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳理工大学申请的专利一种身管内膛复合铬镀层处理工艺获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119615076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411805114.3,技术领域涉及:C23C14/32;该发明授权一种身管内膛复合铬镀层处理工艺是由王光辉;郭策安;张宏伟;卢旭东;姜月秋设计研发完成,并于2024-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种身管内膛复合铬镀层处理工艺在说明书摘要公布了:本发明涉及镀铬技术领域,具体为一种身管内膛复合铬镀层处理工艺,包括以下步骤:S1、预处理;S2、辉光清洗;S3、第一次多弧离子镀;S4、脉冲蚀刻;S5、第二次多弧离子镀;S6、冷却和出炉。本发明通过采用多弧离子镀技术在身管内膛表面制备Cr涂层,显著提高了身管内膛的耐磨性,有效减少了射击过程中的磨损,并且显著提高了身管内膛的抗氧化能力,延长了身管的使用寿命。
本发明授权一种身管内膛复合铬镀层处理工艺在权利要求书中公布了:1.一种身管内膛复合铬镀层处理工艺,其特征在于,包括以下步骤: S1、预处理:先使用无水乙醇将身管超声波清洗20~30min,再使用无水乙醇擦拭身管,最后烘干,反复2次; S2、辉光清洗:先将身管放置在磁控溅射离子镀膜机的真空室内,抽真空至2.0×10^-3Pa,再将身管加热至300~320℃,并向真空室内充入氩气至0.3~1.0Pa,然后在身管内膛加负偏压500V,并在2~3min内升到900V,最后氩离子轰击清洗身管内膛10~20min; S3、第一次多弧离子镀:向真空室内充入氩气至2~5Pa,在身管内膛加负偏压300~450V,向铬靶材施加60~90A的电弧电流,并控制铬靶材沿轴心方向均匀进入身管内膛,沉积20~30min,在身管内膛镀上第一铬层; S4、脉冲蚀刻:选择超短脉冲激光器,设置激光的脉冲宽度为100~300飞秒,激光的能量密度为0.5~1.5Jcm2,并设置超短脉冲激光器的旋转速度为10~30rpm,超短脉冲激光器的沿轴心方向移动速度为1~5mms,先控制超短脉冲激光器沿轴心方向顺时针均匀旋转进入身管内膛,再控制超短脉冲激光器沿轴心方向顺时针均匀旋转退出身管内膛; S5、第二次多弧离子镀:向真空室内充入氩气至2~5Pa,在身管内膛加负偏压500~900V,向铬靶材施加100~120A的电弧电流,并控制铬靶材沿轴心方向均匀进入身管内膛,沉积30~60min,在第一铬层镀上的第二铬层; S6、冷却和出炉:先逐渐降低负偏压和电弧电流,再恢复真空腔体的常压,待身管冷却至室温后,取出。
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